南亚科技股份有限公司施江林获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110960595.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由施江林;吕增富;林正平设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底，该基底具有一第一上表面。一主动区是被在该基底中的一绝缘区所围绕。一埋入电源线以及一埋入信号线设置在该基底内以及在该主动区中。一第一电路层设置在该第一的该第一上表面上，以覆盖该埋入电源线与该埋入信号线。一第二电路层设置在该基底的该上表面上，并与该第一电路层分开设置。一单元胞电容器设置在该第一电路层上，并电性耦接到该第一电路层。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一基底，具有一第一上表面； 一主动区，被在该基底中的一绝缘区所围绕； 一埋入电源线以及一埋入信号线，设置在该基底内并位于该主动区中； 一第一电路层，设置在该基底的该第一上表面上，并覆盖该埋入电源线与该埋入信号线； 一第二电路层，设置在该基底的该第一上表面上，并与该第一电路层分开设置，其中该第二电路层未覆盖该埋入电源线与该埋入信号线；以及 一单元胞电容器，设置在该第一电路层上，并电性耦接到该第一电路层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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