南亚科技股份有限公司丘世仰获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利内存单元及用于自内存单元读出数据的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110944179.6，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权内存单元及用于自内存单元读出数据的方法是由丘世仰设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本内存单元及用于自内存单元读出数据的方法在说明书摘要公布了：一种内存单元包括半导体基板、晶体管及第一反熔丝结构。晶体管位于半导体基板上方。第一反熔丝结构位于半导体基板上方且相邻于晶体管，并包括第一端与第二端。第一反熔丝结构的第一端位于半导体基板内且横向环绕晶体管。第一反熔丝结构的第二端位于第一反熔丝结构的第一端上方且与第一反熔丝结构的第一端间隔开。借此，可以实现高密度半导体装置。
本发明授权内存单元及用于自内存单元读出数据的方法在权利要求书中公布了：1.一种内存单元，其特征在于，包含： 半导体基板； 晶体管，位于该半导体基板上方； 第一反熔丝结构，位于该半导体基板上方且相邻于该晶体管，该第一反熔丝结构包含： 第一端，位于该半导体基板内且横向环绕该晶体管；以及 第二端，位于该第一反熔丝结构的该第一端上方且与该第一反熔丝结构的该第一端间隔开； 第一掺杂区，位于该半导体基板内且横向环绕该第一反熔丝结构的该第一端，并且该第一掺杂区与该第一反熔丝结构的该第一端间隔开，其中该第一掺杂区的导电类型与该第一反熔丝结构的该第一端的导电类型相同；以及 第二掺杂区，位于该半导体基板内且横向环绕该第一掺杂区，并且该第二掺杂区与该第一掺杂区间隔开，其中该第一掺杂区的导电类型与该第二掺杂区的导电类型不同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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