南亚科技股份有限公司黄庆玲获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110911583.3，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权半导体装置及其制备方法是由黄庆玲设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开是关于一种具有熔丝结构及反熔丝结构的半导体装置与其制备方法。该半导体装置包括设置于一半导体基底之上的一第一介电层，及设置于该第一介电层之上的一第一电极。该半导体装置亦包括设置于该第一电极之上的一熔丝链，及设置于该熔丝链之上的一第二电极。该半导体装置还包括相邻设置于该第一电极的一第三电极，及将该第一电极自该第一介电层与该第三电极分开的一第二介电层。该第一电极、该熔丝链、及该第二电极形成一熔丝结构，而该第一电极、该第三电极、及该第二介电层位于该第一电极与该第三电极之间的一部分形成一反熔丝结构。
本发明授权半导体装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 一第一介电层，设置于一半导体基底之上； 一第一导电线与一第二导电线，设置于该第一介电层之上且彼此间互相平行延伸； 一第二介电层，设置于该第一导电线与该第二导电线之间，其中该第一导电线与该第二导电线被该第二导电线所覆盖； 一第三介电层，设置于该第二介电层之上，其中该第三介电层具有与该第二介电层不同的蚀刻选择性； 一第一电极，设置于该第一导电线与该第二导电线之间，其中该第一电极具有一圆形轮廓，且该第一电极通过该第二介电层与该第一介电层分开； 一第二电极，设置于该第一电极之上，其中该第二电极自该第二介电层延伸至该第三介电层；及 一介电部分，设置于该第一电极与该第二电极之间，其中该第一电极、该第二电极、及该介电部分形成一反熔丝结构； 其中该第一电极与该第一导电线直接接触，且其中该第一电极与该第一导电线形成一熔丝结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号