环晟光伏(江苏)有限公司王振刚获国家专利权
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龙图腾网获悉环晟光伏(江苏)有限公司申请的专利一种Topcon电池钝化结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110857270.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种Topcon电池钝化结构的制备方法是由王振刚;宋楠;郁寅珑;俞超设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Topcon电池钝化结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种Topcon电池钝化结构的制备方法，包括：对N型晶体硅基体分别做制绒、硼扩和刻蚀清洗处理；在所述N型晶体硅基体的表面生长一氧化硅遂穿层；在所述氧化硅遂穿层上沉积一非晶硅层，沉积至部分预设厚度时，向所述非晶硅层进行重磷掺杂；沉积剩余所述预设厚度时，对所述非晶硅层进行轻磷掺杂，然后进行退火；退火后的所述N型晶体硅基体表面钝化，然后对其金属化制成电池。本发明的有益效果是通过不同工艺厚度调整通入磷烷的量，控制掺杂磷在非晶硅层中的浓度梯度，低温退火，减少磷在硅中的扩散速度，保持浓度差异，从而实现隧穿层附近富集高浓度的磷有利于隧穿，多晶硅层中的磷浓度低于隧穿层附近的效果，减少俄歇复合和寄生吸收。
本发明授权一种Topcon电池钝化结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Topcon电池钝化结构的制备方法，包括： 对N型晶体硅基体分别做制绒、硼扩和刻蚀清洗处理； 在处理后的所述N型晶体硅基体的表面生长一氧化硅遂穿层； 在所述氧化硅遂穿层上沉积一非晶硅层，所述非晶硅层的预设厚度为50-200nm；沉积至所述预设厚度的20-30%时，向所述非晶硅层进行重磷掺杂；沉积剩余所述预设厚度时，对所述非晶硅层进行轻磷掺杂； 对掺杂过后的所述N型晶体硅基体进行退火，退火的温度为800-860℃； 退火后的所述N型晶体硅基体表面钝化，然后对其金属化制成电池。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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