南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110824302.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体元件及其制备方法是由黄则尧设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法，该半导体元件包括一导电层，设置在一半导体基底上；以及一导电接触点，设置在该导电层上。该半导体元件亦包括一导电线，设置在该导电接触点上。在沿该导电线的一纵轴的一第一剖视图中，该导电接触点的一上部具有一锥形轮廓；以及在沿正交于该导电线的该纵轴的一线段的一第二剖视图中，该导电接触点的该上部具有一非锥形轮廓。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一源极漏极区，设置在一半导体基底中； 一导电层，设置在该半导体基底上； 一导电接触点，设置在该导电层上；以及 一导电线，设置在该导电接触点上； 其中，该导电线经由该导电接触点与该导电层而电性连接到该源极漏极区； 其中，在沿该导电线的一纵轴的一第一剖视图中，该导电接触点的一上部具有一锥形轮廓，该导电接触点的一下部与该导电层直接接触并且在该第一剖视图中具有一非锥形轮廓；以及在沿正交于该导电线的该纵轴的一线段的一第二剖视图中，该导电接触点的该上部具有一非锥形轮廓， 其中该导电接触点的该上部的该锥形轮廓具有向内延伸至该导电层的弯曲侧壁； 其中该导电层的一宽度大于该导电接触点的该下部的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新北市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号