苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体器件及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110615684.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及半导体器件的制备方法是由程凯设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种半导体器件及半导体器件的制备方法，半导体器件包括衬底、依次在衬底上形成的GaN和势垒层、通过刻蚀所述GaN层和所述势垒层形成的第一凹槽、形成在第一凹槽以及与所述第一凹槽相接的所述势垒层的上表面的n型重掺杂GaN材料，本发明通过n型重掺杂GaN材料填充第一凹槽并延伸至势垒层的上表面，改善了n型重掺杂GaN材料与GaN异质结侧壁的欧姆接触，降低了n型重掺杂GaN材料与GaN异质结侧壁的接触电阻。二次外延n型重掺杂GaN材料在第一凹槽内生长之后继续在势垒层上侧向外延生长，有利于改善n型重掺杂GaN材料表面粗糙的问题，进一步降低n型重掺杂GaN材料和金属的接触电阻。
本发明授权半导体器件及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 依次在衬底上形成GaN层和势垒层； 在势垒层的上表面旋涂光刻胶，在源漏欧姆接触区域进行显影，形成图案化的光刻胶层； 自所述光刻胶层暴露的势垒层上表面向下进行刻蚀，刻蚀至所述GaN层和所述势垒层异质结界面以下形成第一凹槽，而后使用高温退火炉进行退火处理； 清洗掉所述图案化的光刻胶层，在所述第一凹槽内二次外延n型重掺杂GaN材料，其中，所述n型重掺杂GaN材料向所述第一凹槽外继续生长以在所述势垒层的上表面愈合，且所述n型重掺杂GaN材料的厚度超过所述势垒层的上表面的厚度为20-300nm； 图案化所述势垒层上的所述n型重掺杂GaN材料以暴露所述势垒层的上表面； 在势垒层的上表面设置与所述势垒层肖特基接触的栅电极以及在所述n型重掺杂GaN材料上分别设置源电极和漏电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号