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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110521810.1，技术领域涉及：H01L23/04；该发明授权功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法是由M·路德维希设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法在说明书摘要公布了：一种功率半导体模块，包括：至少一个半导体衬底10，至少一个半导体衬底10包括电介质绝缘层11和附接到电介质绝缘层11的第一金属化层111；至少一个半导体主体20，至少一个半导体主体20布置在第一金属化层111上；至少一个端部停止元件48，其中，每个端部停止元件48布置在半导体衬底10上或至少一个半导体主体20中的一个半导体主体20上，并且在垂直于半导体衬底10的顶表面的垂直方向y上从半导体衬底10或相应半导体主体20延伸；以及至少部分地包围半导体衬底10的外壳，外壳包括侧壁42和盖44。外壳还包括至少一个压接销46，至少一个压接销中的每一个从外壳的盖44朝向至少一个端部停止元件48中的一个端部停止元件48延伸，并且在相应端部停止元件48上施加压力。

本发明授权功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块装置，包括： 至少一个半导体衬底10，所述至少一个半导体衬底10包括电介质绝缘层11和附接到所述电介质绝缘层11的第一金属化层111； 至少一个半导体主体20，所述至少一个半导体主体20布置在所述第一金属化层111上； 至少一个端部停止元件48，其中，每个端部停止元件48布置在所述半导体衬底10上或所述至少一个半导体主体20中的一个半导体主体20上，并且在垂直于所述半导体衬底10的顶表面的垂直方向y上从所述半导体衬底10或相应半导体主体20延伸； 至少部分地包围所述半导体衬底10的外壳，所述外壳包括侧壁42和盖44，其中所述外壳还包括至少一个压接销46，所述至少一个压接销中的每一个从所述外壳的所述盖44朝向所述至少一个端部停止元件48中的一个端部停止元件48延伸，并且在所述垂直方向y上在相应端部停止元件48上施加朝向所述半导体衬底10或所述相应半导体主体20的压力；以及 浇铸化合物5，所述浇铸化合物5覆盖所述半导体衬底10并且部分地填充所述外壳， 其中，所述至少一个端部停止元件48包括框架，所述框架包括围绕中空空间或腔体的下部部分以及弯曲以便停留在所述下部部分上的上部部分，其中，所述浇铸化合物5围绕所述框架并且至少部分地填充所述中空空间或腔体。

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