中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110278834.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;马丽莎设计研发完成，并于2021-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一器件区，第一器件区包括沟道区、以及与沟道区相隔离的源漏区，源漏区和沟道区之间的基底中形成有隔离结构，在第一器件区中，沟道区的基底顶面低于源漏区的基底顶面；在第一器件区中，在沟道区的基底表面形成栅氧化层；在栅氧化层上形成第一栅极结构，所述第一栅极结构延伸至沟道区基底和隔离结构的交界处并覆盖隔离结构的部分顶部；在第一栅极结构的侧壁形成保护层，保护层还延伸覆盖隔离结构的部分顶部，并露出源漏区的基底。保护层能够较好地覆盖所述第一栅极结构和隔离结构的拐角处，从而在后续的清洗过程中，增强了对第一栅极结构侧壁的保护，进而提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括第一器件区，所述第一器件区包括沟道区、以及与所述沟道区相隔离的源漏区，所述源漏区和沟道区之间的基底中形成有隔离结构，在所述第一器件区中，所述沟道区的基底顶面低于所述源漏区的基底顶面，所述隔离结构用于实现沟道区和源漏区之间的绝缘； 栅氧化层，位于所述第一器件区的沟道区的基底上； 第一栅极结构，位于所述栅氧化层上，并延伸至所述沟道区基底和隔离结构的交界处且覆盖所述隔离结构的部分顶部； 保护层，覆盖所述第一栅极结构的侧壁，所述保护层还延伸覆盖所述隔离结构的部分顶部，并露出所述源漏区的基底。
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