中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110099857.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底；衬底上的鳍部；横跨鳍部的栅极结构；侧墙，位于部分栅极结构的侧壁上，且顶部表面低于栅极结构的顶部表面；介质层，位于栅极结构露出的衬底和鳍部上；第一开口，沿垂直于栅极结构延伸方向的方向贯穿栅极结构；第二开口，位于栅极结构两侧，且与第一开口连通；第三开口，位于栅极结构两侧，底部暴露出侧墙的顶部表面，与第二开口连通，第二开口位于第三开口与第一开口之间，且深度大于第三开口的深度；隔离结构，填充部分第一开口、第二开口以及第三开口，在第一开口、第二开口以及第三开口内围成孔洞。本发明实施例提供的半导体结构，有利于减小寄生电容，提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上形成有若干相互分立的鳍部； 栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部； 侧墙，位于部分所述栅极结构的侧壁上，所述侧墙的顶部表面低于所述栅极结构的顶部表面； 介质层，位于所述栅极结构露出的所述衬底和所述鳍部上； 第一开口，位于所述介质层内，所述第一开口沿垂直于所述栅极结构延伸方向的方向贯穿所述栅极结构； 第二开口，位于所述栅极结构两侧，且与所述第一开口连通； 第三开口，位于所述栅极结构两侧，所述第三开口底部暴露出所述侧墙的顶部表面，所述第三开口与所述第二开口连通，所述第二开口位于所述第三开口与所述第一开口之间，且所述第二开口的深度大于所述第三开口的深度； 隔离结构，填充部分所述第一开口、第二开口以及第三开口，在所述第一开口、第二开口以及第三开口内围成孔洞。
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