国际商业机器公司A·雷兹尼塞克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利用于MRAM的大晶粒铜互连线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180011235.9，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权用于MRAM的大晶粒铜互连线是由A·雷兹尼塞克;O·格鲁申克夫;Y·苏勒里亚;D·西尔设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于MRAM的大晶粒铜互连线在说明书摘要公布了：在用作MRAM位的磁性隧道势垒支柱上方形成大晶粒金属位线，而不会实质上影响磁性隧道势垒的磁性性质。在柱上形成具有相对小晶粒的铜或铜合金位线。使用激光退火来熔化位线。随后的冷却和再结晶导致位线中晶界数目的减少和位线有效电阻率的减少。可以使用多个熔化冷却循环。位线晶粒与所得结构中的柱竖直对准。
本发明授权用于MRAM的大晶粒铜互连线在权利要求书中公布了：1.一种形成用于电子结构的大晶粒铜位线的方法，包括： 获得MRAM结构，其包括： 器件晶片，包括电子器件； 金属化层，位于所述器件晶片上方并且包括在所述金属化层中的底电极，所述底电极被电连接到所述电子器件；以及 竖直柱，在所述金属化层上方具有侧壁，所述竖直柱各自包含磁性隧道势垒以及顶电极； 在所述顶电极上方形成呈现铜线尺寸效应的铜位线，所述铜位线具有四十纳米或更小的宽度、三千平方纳米或更小的面积、以及相对于所述铜位线的宽度具有相对小尺寸的铜晶粒； 对所述铜位线进行激光退火，从而熔化所述铜位线；以及 在所述激光退火后的冷却期间再结晶所述铜位线，从而在所述铜位线中形成相对大的晶粒，并且减少形成在所述顶电极上方的所述铜位线的所述铜线尺寸效应。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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