东京毅力科创株式会社佐佐木良获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112599399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011023223.1,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权等离子体处理装置是由佐佐木良设计研发完成,并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置在说明书摘要公布了:本发明涉及等离子体处理装置。提供用于避免由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。聚焦环载置于载置台,具有导电性。导电性环载置于盖环。位于聚焦环的外周的第1侧面和位于导电性环的内周的第2侧面彼此相对并分离开。
本发明授权等离子体处理装置在权利要求书中公布了:1.一种等离子体处理装置,其中, 该等离子体处理装置具有: 载置台,其具有用于载置基板的基板载置部和包围所述基板载置部的周缘部; 聚焦环,其载置于所述载置台的所述周缘部,具有导电性; 盖环,其包围所述载置台的外周,由电介质构成; 导电性环,其载置于所述盖环;以及 高频电源,其与所述载置台结合起来, 其中,位于所述聚焦环的外周部的第1面和位于所述导电性环的内周部的第2面彼此相对并分离开, 所述盖环具有使所述聚焦环和所述导电性环分离开的分离部, 所述第1面是所述聚焦环的外周部下表面,所述第2面是所述导电性环的内周部上表面, 所述聚焦环的外周部侧面和所述导电性环的内周部侧面彼此相对并分离开, 所述导电性环的内周部上表面的与所述聚焦环的外周部下表面相对的面积比所述导电性环的内周部侧面的与所述聚焦环的外周部侧面相对的面积大。
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