中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵猛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010290935.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底表面具有伪栅极结构；分别位于所述伪栅极结构两侧的基底内的源漏开口；位于所述源漏开口侧壁的第一应力层；位于所述源漏开口底部、以及所述第一应力层上的第二应力层，所述第二应力层填充满所述源漏开口，且所述第一应力层的应力小于所述第二应力层的应力。所述第一应力层仅位于源漏开口的侧壁，占用所述源漏开口较小的空间，使得在源漏开口内形成的第二应力层的体积较大，进而提高所述第二应力层对沟道的应力。同时，所述第一应力层能够缓解基底和第二应力层之间的界面缺陷，进而能够减少对沟道的影响，改善短沟道效应。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底表面具有伪栅极结构，所述基底包括鳍部，所述伪栅极结构横跨所述鳍部，且所述伪栅极结构覆盖部分鳍部的顶部表面和侧壁表面； 分别位于所述伪栅极结构两侧的基底内的源漏开口，所述源漏开口位于所述伪栅极结构两侧的鳍部内； 位于所述源漏开口侧壁的第一应力层，所述第一应力层覆盖所述源漏开口侧壁且露出所述源漏开口底部表面，所述第一应力层侧壁位于侧墙正投影下方的鳍部内； 位于所述源漏开口底部、以及所述第一应力层上的第二应力层，所述第二应力层填充满所述源漏开口，且所述第一应力层的应力小于所述第二应力层的应力。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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