苏州乐琻半导体有限公司姜镐在获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州乐琻半导体有限公司申请的专利表面发射激光器器件和包括其的发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114976862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210428611.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权表面发射激光器器件和包括其的发光器件是由姜镐在;张正训设计研发完成，并于2019-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本表面发射激光器器件和包括其的发光器件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件，表面发射激光器器件包括：第一反射层，第一反射层包括第一导电掺杂剂；第二反射层，第二反射层包括第二导电掺杂剂；以及有源区，有源区被布置在第一反射层和第二反射层之间，有源区包括包含第一导电掺杂层的第一腔体，第一腔体与第一反射层相邻，第一腔体包括基于AlxGaAs的层，0X1，第一腔体中的Al浓度被控制以在有源层的方向上降低。
本发明授权表面发射激光器器件和包括其的发光器件在权利要求书中公布了：1.一种表面发射激光器器件，包括： 第一反射层，所述第一反射层包括第一导电掺杂剂； 第二反射层，所述第二反射层包括第二导电掺杂剂；以及 有源区，所述有源区被布置在所述第一反射层和所述第二反射层之间， 其中，所述有源区包括包含第一导电掺杂层的第一腔体，包含第二导电掺杂层的第二腔体，以及设置于所述第一腔体和所述第二腔体之间的有源层， 其中，所述第一腔体与所述第一反射层相邻， 其中，所述第一腔体包括基于AlxGaAs的层，0X1，所述第一腔体中的Al浓度被控制以在所述有源层的方向上降低， 其中，所述第二腔体的第二宽度大于所述第一腔体的第一宽度， 其中，所述第一反射层包括第一-第一层和设置在所述第一-第一层上的第一-第二层，所述第一-第一层具有第一铝浓度，所述第一-第二层具有第二铝浓度，所述第二铝浓度高于所述第一铝浓度，以及 其中，所述第一-第二层的厚度大于所述第一-第一层的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州乐琻半导体有限公司，其通讯地址为：215499 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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