英特尔公司刘海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利闪存设备和相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111149204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880056387.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权闪存设备和相关方法是由刘海涛;黄广宇;K.K.帕拉特;S.B.库纳尔;S.贾延蒂设计研发完成，并于2018-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存设备和相关方法在说明书摘要公布了：公开了闪存技术。在一个示例中，闪存单元可以包括电荷存储结构、与电荷存储结构横向分离的控制栅极以及被部署在控制栅极与电荷存储结构之间的至少四个介电层。还公开了相关联的系统和方法。
本发明授权闪存设备和相关方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存设备，包括： 与彼此竖向间隔开的多个绝缘层； 延伸穿过所述多个绝缘层的竖向定向的导电沟道； 部署在相邻绝缘层之间的电荷存储结构； 控制栅极，其与所述电荷存储结构横向分离，使得所述电荷存储结构处在所述控制栅极与所述导电沟道之间；以及 部署在所述控制栅极与所述电荷存储结构之间的至少四个介电层； 其中所述至少四个介电层中的一层与电荷存储结构相邻，并且具有从大约1nm至大约5nm的厚度，并且其中所述至少四个介电层中的第一层与电荷存储结构相邻，并且所述至少四个介电层中的第一层的厚度与第二层的厚度的比是从大约1:2至大约1:5。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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