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龙图腾网获悉瀚博半导体(上海)股份有限公司申请的专利用于集成电路的绕线方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120579511B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511081040.8，技术领域涉及：G06F30/394；该发明授权用于集成电路的绕线方法、设备及存储介质是由陈林林设计研发完成，并于2025-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于集成电路的绕线方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于集成电路的绕线方法、设备及存储介质。该方法包括：S1，从所述多个负载点中识别距驱动点的曼哈顿距离最大的最远负载点；S2，在最远负载点所在象限内绘制距原点距离为m的曼哈顿等距线，并在其他三个象限内绘制镜像，形成正方形；S3：以最远负载点以及最远负载点相对于原点、x轴和y轴的对称点作为顶点，绘制内接于所述正方形的矩形；S4：对位于所述矩形外的负载点，绘制走线路径；S5：对于位于矩形内的负载点，绘制其走线路径。本申请的方法保障驱动点到负载点的距离相等且电阻最小，既减少了传统方法插入BUF和INV去平衡引入的功耗问题，也改善了在不同工艺角下时钟偏差的一致性。

本发明授权用于集成电路的绕线方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种用于集成电路的绕线方法，所述集成电路包括驱动点和多个负载点，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1：将驱动点设为坐标系原点，从所述多个负载点中识别距驱动点的曼哈顿距离最大的最远负载点，最远负载点距驱动点的曼哈顿距离为m； S2：在最远负载点所在象限内绘制距原点距离为m的曼哈顿等距线，并在其他三个象限内绘制镜像，形成正方形； S3：以最远负载点以及最远负载点相对于原点、x轴和y轴的对称点作为顶点，绘制内接于所述正方形的矩形； S4：对位于所述矩形外的负载点，绘制其至相应象限内正方形边的第一曼哈顿等距辅助线，以及第一曼哈顿等距辅助线的第一中点至相应象限内矩形边的垂线，所述垂线与矩形边相交于第一交点，所述矩形外的负载点的走线路径为沿第一曼哈顿辅助线至第一中点后沿所述垂线至第一交点； S5：对于位于所述矩形内的负载点，绘制其至相应象限内正方形边的第二曼哈顿等距辅助线，第二曼哈顿等距辅助线与所述矩形边相交于第二交点，第二交点为第二曼哈顿等距辅助线的中点，所述矩形内的负载点的走线路径为沿平行于x轴和y轴的路径至所述第二交点； S6：在每个象限内的各第一交点和第二交点中，选取横坐标和纵坐标最小的值对应的点作为公共点，第一交点和第二交点至驱动点的走线经过所述公共点； S7：在每个象限内绘制各第一交点和第二交点至所述公共点的走线路径； S8：根据公共路径最长的原则，绘制公共点至驱动点的走线路径， 其中，步骤S7包括： 在每个象限内绘制所述公共点分别沿x轴和y轴方向至矩形边上的第一交点或第二交点的走线路径； 按照就近原则，绘制其他第一交点和第二交点沿矩形边至已连接到所述公共点的第一交点或第二交点的走线路径。

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