江西兆驰半导体有限公司黄莉婷获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120583808B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511071987.0,技术领域涉及:H10H20/01;该发明授权一种发光二极管外延结构及其制备方法是由黄莉婷;焦二斌;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成,并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种发光二极管外延结构及其制备方法。所述发光二极管外延结构,包括依次设置的衬底、h‑BNO2层、低温GaN缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层;本发明通过在异质衬底和GaN外延层之间插入氧等离子处理的h‑BNO2层,并控制工艺条件在其上生长低温GaN缓冲层,两者配合,可有效调制异质衬底上生长外延材料的晶格失配位错、残余应力及热失配,提高高电流下的散射效率,提升异质外延材料的辐射复合发生的概率,放宽对异质外延的要求。
本发明授权一种发光二极管外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管外延结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: S1提供衬底; S2于衬底上沉积h-BN层,然后采用氧等离子体处理所述h-BN层表面,形成h-BNO2层; S3于h-BNO2层上沉积低温GaN缓冲层,所述低温GaN缓冲层的沉积温度为300℃-760℃; S4于低温GaN缓冲层上沉积N型半导体层; S5于N型半导体层上沉积多量子阱层; S6于多量子阱层上沉积P型半导体层; 所述步骤S2中,沉积h-BN层,是以B2H6和NH3为原料,反应温度为600℃-2000℃,压力为7×10-6torr~8torr,射频功率50W-300W;所述氧等离子处理的功率为50W-200W,通入氧气流量在10sccm~200sccm,真空环境压强1Pa~20Pa; 所述步骤S4中,是以NH3为氮源,TMGa为镓源,SiH4为N型掺杂剂,反应温度为1000℃~1200℃; 所述步骤S5中,所述多量子阱层由量子垒层和量子阱层周期性交替生长而成,沉积所述量子阱层时,以NH3为氮源,TEGa为镓源,TMIn为铟源,反应温度为760℃~800℃,压力为150torr~250torr;沉积所述量子垒层时,以NH3为氮源,TEGa为镓源,反应温度为860℃~900℃,压力为150torr~250torr; 所述步骤S6中,沉积P型半导体层时反应温度为980℃~1050℃,以NH3作为氮源,TEGa作为镓源,CP2Mg作为P型掺杂剂,并在H2氛围下控制沉积厚度。
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