福建金石能源有限公司林朝晖获国家专利权
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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种低UVID的背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511014953.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种低UVID的背接触电池及其制备方法是由林朝晖;林楷睿;林锦山;张超华;杨清霖;廖培灿;吴远涛;黄晓狄设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低UVID的背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种低UVID的背接触电池及其制备方法，包括：S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层；S3、形成第二半导体开口区；S4、制绒清洗；S5、采用远程等离子体源，在远程等离子设备中对硅片正面进行磷烷处理，以在硅片表面掺杂形成浅掺杂区，浅掺杂区的掺杂深度为0.01‑0.5µm；S6、然后采用远程等离子设备先进行低氧氧化、再进行高氧氧化，从而使处在硅片表面的浅掺杂区形成富氧掺磷区；低氧氧化采用的远程等离子体源中氧气的含量低于高氧氧化采用的远程等离子体源中氧气的含量。本发明能够在兼顾提升电池转换效率的同时，改善UVID的衰减性能，提升电池稳定性。
本发明授权一种低UVID的背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低UVID的背接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供双面抛光的硅片； S2、在硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜层； S3、在S2所得背面进行第一次刻蚀开口，形成第二半导体开口区； S4、制绒清洗，在硅片正面及第二半导体开口区上形成绒面，之后完全去除掩膜层或保留部分掩膜层； S5、采用远程等离子体源，在远程等离子设备中对硅片正面进行磷烷处理，以在硅片表面掺杂形成浅掺杂区，浅掺杂区的掺杂深度为0.01-0.5µm； S6、然后采用远程等离子设备进行氧气氧化，氧气氧化包括先进行低氧氧化、再进行高氧氧化，从而使处在硅片表面的浅掺杂区形成富氧掺磷区；低氧氧化采用的远程等离子体源中氧气的含量低于高氧氧化采用的远程等离子体源中氧气的含量； S7、在正面依次形成钝化层和减反层，之后去除背面绕镀层及清洗第二半导体开口区； S8、在S7所得背面沉积第二半导体层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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