深圳平湖实验室焦腾获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件、功率模组和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120435035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510921724.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体器件、功率模组和电子设备是由焦腾;陈嘉祥;杨茂谨;查显弧;刘妍;张道华;万玉喜设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、功率模组和电子设备在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种半导体器件、功率模组和电子设备，涉及半导体技术领域，用于使半导体器件在增强型的条件下，实现反向偏压下的导通；该半导体器件包括衬底、栅极、叠层结构、第一电极、第一介质层、第二介质层和第二电极；栅极设于衬底沿第一方向上的一侧；叠层结构设于衬底在第一方向上的一侧，且至少位于栅极沿第二方向的一侧；第一电极设于叠层结构远离衬底的一侧，及叠层结构远离栅极的一侧；第一介质层设于衬底和栅极之间，及叠层结构和栅极之间；第二介质层设于叠层结构远离栅极的一侧，且位于第一电极和叠层结构之间；第二电极设于衬底远离栅极的一侧。上述半导体器件应用于功率模组中。
本发明授权半导体器件、功率模组和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 栅极，设于所述衬底沿第一方向上的一侧，所述第一方向为所述衬底的厚度方向； 叠层结构，设于所述衬底在所述第一方向上的一侧，且至少位于所述栅极沿第二方向的一侧，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述叠层结构包括沿所述第一方向层叠设置的电流阻挡层和第一掺杂层，所述第一掺杂层相比所述电流阻挡层远离所述衬底； 第一电极，设于所述叠层结构远离所述衬底的一侧，及所述叠层结构沿所述第二方向远离所述栅极的一侧； 第一介质层，设于所述衬底和所述栅极之间，及所述叠层结构和所述栅极之间； 第二介质层，设于所述叠层结构沿所述第二方向远离所述栅极的一侧，且位于所述第一电极的第一部分和所述叠层结构之间；所述第一电极的第一部分为，所述第一电极中，设于所述叠层结构沿所述第二方向远离所述栅极的一侧的部分； 第二电极，设于所述衬底远离所述栅极的一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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