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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种低UVID的背接触电池及其制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120456650B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510912521.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种低UVID的背接触电池及其制备方法及其应用是由林朝晖设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低UVID的背接触电池及其制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种低UVID的背接触电池及其制备方法及其应用，包括S02、在硅片的受光面依次沉积无掺磷的掺氧硅层、掺磷掺氧硅层；其中，无掺磷的掺氧硅层、掺磷掺氧硅层采用管式PECVD在辉光等离子体持续存在下连续镀膜的方式沉积，且满足：H0H1，W0W1，C1≤（3D0×1019）D1，D0为1‑5nm，D1为1‑5nm；S03、沉积减反层；S04、然后进行退火；S05、之后在背光面形成第二半导体层。本发明使得受光面钝化层无需预先在受光面沉积氧化硅，且无需在减反层膜层中掺入氢气，就能保证较高的钝化水平，同时利于降低UVID的衰减。

本发明授权一种低UVID的背接触电池及其制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种低UVID的背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S01、在硅片的背光面形成第一半导体层；并进行第一次刻蚀开口，形成第二半导体开口区； S02、在硅片的受光面依次沉积无掺磷的掺氧硅层、掺磷掺氧硅层，形成受光面钝化层，掺氧硅层贴设在硅片的受光面上并接触，掺氧硅层、掺磷掺氧硅层各自独立地选自对应掺杂的非晶硅或微晶硅；其中，无掺磷的掺氧硅层、掺磷掺氧硅层采用管式PECVD在辉光等离子体持续存在下连续镀膜的方式沉积，掺磷掺氧硅层的掺磷浓度在沿远离硅片的方向上梯度下降且对应第一梯度的掺磷浓度、第一梯度对应的厚度依次记为C1、D1，无掺磷的掺氧硅层沉积时的频率、功率、沉积厚度依次为H0、W0、D0，掺磷掺氧硅层沉积时的频率、功率依次为H1、W1，且满足：H0H1，W0W1，C1≤（3D0×1019）D1，D0为1-5nm，D1为1-5nm； S03、在受光面钝化层外沉积减反层，减反层为氮化硅、氮氧化硅、掺碳氮化硅、氧化硅、掺碳氧化硅中的至少一种； S04、然后进行退火； S05、之后在背光面形成第二半导体层。

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