武汉理工大学三亚科教创新园张磊获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学三亚科教创新园申请的专利一种多级孔结构自稳定的硅-石墨复合负极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120376625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510837583.1，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种多级孔结构自稳定的硅-石墨复合负极材料及其制备方法是由张磊;赵衍皓;余若瀚;钟雨霞;黄振益设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多级孔结构自稳定的硅-石墨复合负极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多级孔结构自稳定的硅‑石墨复合负极材料及其制备方法，具体步骤包括：S1、将微米级AlSi10Mg三元合金颗粒和石墨加入溶剂中，超声分散，继续搅拌，烘干，得到AlSi10Mg石墨粉末；S2、将AlSi10Mg石墨粉末进行球磨，备用；S3、将球磨后的AlSi10Mg石墨粉末加入草酸溶液中，进行刻蚀，洗涤，烘干，得到目标硅‑石墨复合负极材料，命名为P‑SiGr。本发明的制备工艺简单，易合成，生产效率高，制备成本低，安全性高，制备的复合负极材料应用在锂电池中，具有高容量保持率、优异的倍率性能和循环稳定性，应用前景良好。
本发明授权一种多级孔结构自稳定的硅-石墨复合负极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多级孔结构自稳定的硅-石墨复合负极材料的制备方法，其特征在于，具体步骤包括： S1、将质量比为4:1的微米级AlSi10Mg三元合金颗粒和石墨加入溶剂中，超声分散，继续搅拌，烘干，得到AlSi10Mg石墨粉末； S2、将AlSi10Mg石墨粉末进行球磨，备用； S3、按照固液比为10-12:1mgmL，将球磨后的AlSi10Mg石墨粉末加入0.5-1.5molL草酸溶液中，在60℃，350rpm下刻蚀24h，洗涤，烘干，得到目标硅-石墨复合负极材料，命名为P-SiGr； 所述硅-石墨复合负极材料中，石墨的粒径为5-7μm，厚度为0.3-1μm，硅的直径为3-5μm，孔径为1.8-40nm。
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