南京大学诸锦玺获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种电容式半导体微型真空计及真空检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120352074B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510831875.4，技术领域涉及：G01L21/00；该发明授权一种电容式半导体微型真空计及真空检测方法是由诸锦玺;丁孙安;伍莹;曹书嵘;沈科崟;陈祎晗设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电容式半导体微型真空计及真空检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电容式半导体微型真空计及真空检测方法，该真空计通过将半导体器件的电学放大特性与电容式传感原理相结合，实现了真空测量的高精度、微型化和低功耗，充分利用标准CMOS工艺的兼容性，将气压传感模块与信号处理单元垂直集成，不仅简化了制造流程，降低了生产成本，还显著提升了器件的可靠性和量产潜力，并通过调节电极几何参数，进一步拓宽了测量范围并优化了灵敏度，具有重要的实用价值和广阔的商业前景，为下一代微型真空计的发展提供了高效、经济的解决方案。
本发明授权一种电容式半导体微型真空计及真空检测方法在权利要求书中公布了：1.一种电容式半导体微型真空计，其特征在于，所述电容式半导体微型真空计由底层的信号转换模块（1）和顶层的气压传感模块（2）组成，其中，信号转换模块（1）由衬底（11）及上表面设置的源极（12）和漏极（13）组成，源极（12）和漏极（13）中间设有气压传感模块（2），气压传感模块（2）由下到上依次为介质隔离层（21）、下电极（22）、密封结构（23）和可形变上电极（25），下电极（22）和可形变上电极（25）及侧壁封装的密封结构（23）包围形成真空腔（24）。
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