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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利半导体光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120322028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510787089.9，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权半导体光电探测器及制备方法是由郑婉华;李明明;王天财;宋春旭;王亮;杜晓宇设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测技术领域，提供一种半导体光电探测器及制备方法，探测器包括功能层、吸收层、第一掺杂层和第二掺杂层，吸收层位于功能层的部分表面，吸收层具有相对的第一侧面和第二侧面；第一掺杂层位于功能层第一侧表面和吸收层第一侧面；第二掺杂层位于功能层第二侧表面、吸收层第二侧面和吸收层远离功能层的表面；第一掺杂层与第二掺杂层具有预设间距；第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同。本发明半导体光电探测器通过第一掺杂层采用“L”字形掺杂结构，第二掺杂层采用“乙”字形掺杂结构，形成P+和N+欧姆接触区，以优化载流子输运路径，有效缩短载流子的渡越时间，从而提高器件的工作带宽，能够适用于高速光电探测应用。

本发明授权半导体光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体光电探测器，其特征在于，包括： 功能层； 吸收层，位于所述功能层的部分表面，所述吸收层具有沿第一方向相对的第一侧面和第二侧面； 第一掺杂层，所述第一掺杂层的第一侧位于所述功能层的第一侧表面，所述第一掺杂层的第二侧位于所述吸收层的第一侧面； 第二掺杂层，所述第二掺杂层的中部位于吸收层的第二侧面，所述第二掺杂层的第一侧位于所述功能层的第二侧表面，所述第二掺杂层的第二侧位于所述吸收层远离所述功能层的表面；所述第一掺杂层靠近所述第二掺杂层的一端与所述第二掺杂层靠近所述第一掺杂层的一端沿第一方向具有预设间距；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂类型不同； 其中，所述第一掺杂层包括相连的第一掺杂子区和第二掺杂子区，所述第一掺杂子区位于所述功能层的第一侧表面，所述第二掺杂子区位于所述吸收层的第一侧面； 所述第二掺杂层包括依次相连的第三掺杂子区、第四掺杂子区和第五掺杂子区；所述第三掺杂子区位于所述功能层的第二侧表面，所述第四掺杂子区位于所述吸收层的第二侧面，所述第五掺杂子区位于所述吸收层远离所述功能层的表面，所述第三掺杂子区的峰值掺杂深度大于所述第四掺杂子区的峰值掺杂深度，所述第三掺杂子区的峰值掺杂深度大于所述第五掺杂子区的峰值掺杂深度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国科大杭州高等研究院，其通讯地址为：310024 浙江省杭州市西湖区象山支弄1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。