杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510734667.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D‑MOSFET及制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极、源极、栅极、栅氧化层以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、P阱层以及N阱层，所述栅极的截面轮廓呈三角形，所述栅极与栅氧化层的交接处沉积有多晶硅覆盖层；所述栅氧化层的截面轮廓呈半椭圆形状，所述多晶硅覆盖层的截面轮廓呈三角形。本发明通过将栅极的截面轮廓设计为三角形，并控制栅氧化层呈半椭圆形状，优化了电场分布和载流子迁移路径，三角形栅极可降低栅极边缘的电场集中，减少击穿风险。
本发明授权一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极（1）、源极（2）、栅极（3）、栅氧化层（5）以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层（6）、N扩散层（7）、P+层（8）、P阱层（9）以及N阱层（10），其特征在于：所述栅极（3）的截面轮廓呈三角形，所述栅极（3）与栅氧化层（5）的交接处沉积有多晶硅覆盖层（4）；所述栅氧化层（5）的截面轮廓呈半椭圆形状； 所述多晶硅覆盖层（4）的截面轮廓呈三角形，其中多晶硅覆盖层（4）两侧的边处沉积形成有扩展层（11）； 所述扩展层（11）的材质采用氮化钛或氮化钽中的一种。
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