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龙图腾网获悉南京大学;合肥国家实验室申请的专利一种显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076526B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510549479.2，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种显示面板及其制备方法是由周玉刚;李良杰;郭焱;陆海;刘斌;张荣设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种显示面板及其制备方法，提供第一发光阵列芯片和驱动阵列芯片；将第一发光阵列芯片和驱动阵列芯片进行键合处理，得到第一键合结构；在第一键合结构中，第一布线层和驱动布线层相接触，且二者为倒装连接；将第一键合结构与第二发光阵列芯片进行键合处理，得到第二键合结构；在第二键合结构中第二发光阵列芯片的一侧形成红色像素单元阵列，得到显示面板。通过将驱动阵列芯片设置在第一发光阵列芯片和第二发光阵列芯片之间，并且通过层间连接技术实现驱动单元对发光单元的驱动，能够降低电连接的工艺难度，不再采用巨量转移技术，能够降低制造成本，提高显示面板良率，且实现了全彩显示，显示面板的显示效果更佳。

本发明授权一种显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一发光阵列芯片和驱动阵列芯片；所述第一发光阵列芯片包括沿第一方向依次层叠的第一发光阵列层和第一布线层，所述第一发光阵列层包括多个第一发光单元；所述驱动阵列芯片包括沿所述第一方向依次层叠的驱动布线层和驱动单元层，所述驱动单元层包括多个驱动单元，一个所述驱动单元用于驱动一个所述第一发光单元发光；所述驱动阵列芯片为GaNAlGaN基HEMT有源选址驱动芯片，所述GaNAlGaN基HEMT为增强型结构，所述驱动单元层包括沿第二方向依次层叠的第二缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和p型GaN帽层，所述第二方向与所述第一方向相反； 将所述第一发光阵列芯片和所述驱动阵列芯片进行键合处理，得到第一键合结构；在所述第一键合结构中，所述第一布线层和所述驱动布线层电连接，且二者为倒装连接； 将所述第一键合结构与第二发光阵列芯片进行键合处理，得到第二键合结构；所述第二发光阵列芯片包括沿所述第一方向依次层叠的第二布线层和第二发光阵列层，所述第二发光阵列层包括多个第二发光单元，一个所述驱动单元用于驱动一个所述第二发光单元发光；在所述第二键合结构中，所述驱动阵列芯片位于所述第一发光阵列芯片和所述第二发光阵列芯片之间，所述第二布线层与所述驱动单元层电连接，所述第二布线层与所述驱动布线层为层间连接； 在所述第二键合结构中所述第二发光阵列芯片的一侧形成红色像素单元阵列，得到显示面板；所述红色像素单元阵列包括多个红色像素单元； 所述第一发光阵列芯片包括第一键合焊料层和第二钝化层，所述第一键合焊料层位于所述第二钝化层的第一通孔内，所述第一键合焊料层与所述第一布线层连接，所述第一键合焊料层的表面高于所述第二钝化层的表面，所述第一键合焊料层具有凸起结构；所述驱动阵列芯片包括覆盖所述驱动布线层的第五钝化层，所述第五钝化层具有凹孔，所述凹孔用于暴露部分所述驱动布线层； 将所述第一发光阵列芯片和所述驱动阵列芯片进行键合处理，得到第一键合结构，包括： 将所述第一发光阵列芯片的凸起结构与所述驱动阵列芯片的凹孔进行对准，在满足预设温度范围和预设压力范围的条件下进行热压焊接，得到所述第一键合结构； 或，所述第一发光阵列芯片包括第一键合焊料层和第二钝化层，所述第一键合焊料层位于所述第二钝化层的第一通孔内，所述第一键合焊料层与所述第一布线层连接，所述第一键合焊料层的表面与所述第二钝化层的表面齐平； 所述驱动阵列芯片包括覆盖所述驱动布线层的第五钝化层，以及位于所述第五钝化层的第三通孔内的第二键合焊料层；所述第二键合焊料层与所述驱动布线层连接； 将所述第一发光阵列芯片和所述驱动阵列芯片进行键合处理，得到第一键合结构，包括： 将所述第一发光阵列芯片的所述第一键合焊料层与所述驱动阵列芯片的所述第二键合焊料层进行对准，在满足预设温度范围和预设压力范围的条件下进行热压焊接，得到所述第一键合结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学;合肥国家实验室，其通讯地址为：210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。