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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种可扩展的1×3的非易失光开关单元及非易失可编程1×2多模光开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119781226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510048585.2，技术领域涉及：G02F1/313；该发明授权一种可扩展的1×3的非易失光开关单元及非易失可编程1×2多模光开关是由孙巍;李静思;郭鹏星;侯维刚设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可扩展的1×3的非易失光开关单元及非易失可编程1×2多模光开关在说明书摘要公布了：本发明为一种可扩展的1×3的非易失光开关单元及非易失可编程1×2多模光开关。1×3光开关单元包括一个裸硅多模总线波导、两个PCM‑Si单模混合波导，其中上下臂混合波导上设置有等长、等厚的Sb2Se3相变材料，通过调控两波导相变材料的状态，即晶态c‑Sb2Se3和非晶态a‑Sb2Se3，可以实现分光和光交换两种功能；利用绝热锥形波导可将具有不同多模总线波导宽度的1×3光开关单元级联成一种支持6个模式的1×2多模光开关，当多模总线波导与PCM‑Si混合波导达到相位匹配条件时，相应的高阶模信号将被转化为基模信号进行数据传输。本发明提出的光开关结构支持多个模式信号的复用及交换，且具有开关动态状态可调、零静态功耗、低插入损耗和低串扰的优点。

本发明授权一种可扩展的1×3的非易失光开关单元及非易失可编程1×2多模光开关在权利要求书中公布了：1.一种非易失可编程1×2多模光开关，其特征在于，该多模光开关包含一个输入端口和两个输出端口；所述输入端口为模式解复用器部分，两个输出端口为上下两个模式复用器部分；所述模式解复用器部分由6个可扩展的1×3的非易失光开关单元所构成，且每两个光开关单元之间通过绝热锥形波导进行连接以匹配具有不同几何横截面参数的两个波导，从左至右，多模总线波导所支持的模式数量依次减1，模式复用器部分除TE0模信号外的其他模式信号由5个不同宽度的多模总线波导以及宽度为450nm的单模接入波导所构成；当模式解复用器部分的6个非易失光开关单元上臂的PCM均为非晶态a-Sb2Se3，则多个所述上臂PCM-Si单模混合波导中的基模信号向前传输经过上复用器部分实现基模向高阶模的转换后均从O1端口输出；反之当模式解复用器部分的6个非易失光开关单元下臂的PCM均为a-Sb2Se3，则多个所述下臂PCM-Si单模混合波导中的基模信号向前传输经过下复用器部分实现基模向高阶模的转换后均从O2端口输出；当模式解复用器部分的6个非易失光开关单元上下臂的PCM均为a-Sb2Se3，则多个所述上下臂PCM-Si单模混合波导中的基模信号向前传输经过上下两个复用器部分实现基模向高阶模的转换后各有12的光功率从O1、O2端口输出，即PCM的状态控制模式信号从不同端口的输出以及输出的透射率； 所述可扩展的1×3的非易失光开关单元，包括一个位于中间的多模总线波导和分设于所述多模总线波导两侧的一个上臂PCM-Si单模混合波导和一个下臂PCM-Si单模混合波导；所述上臂PCM-Si单模混合波导和下臂PCM-Si单模混合波导设置有等长、等厚的相变材料Sb2Se3薄膜，且上下臂PCM-Si单模混合波导上的Sb2Se3薄膜均可以在晶态c-Sb2Se3和非晶态a-Sb2Se3之间切换；所述多模总线波导和含有a-Sb2Se3的PCM-Si单模混合波导通过达到相位匹配条件，实现将多模总线波导输入端输入的高阶模信号转化为基模信号以进行数据传输，而未达到相位匹配条件的模式信号继续向前传输，从O12端口输出；当所述上臂PCM-Si波导的Sb2Se3为非晶态时，单模混合波导中的基模信号从O11端口输出；当所述下臂PCM-Si波导的Sb2Se3为非晶态时，单模混合波导中的基模信号从O13端口输出。

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