广州华星光电半导体显示技术有限公司潘子康获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及显示面板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411999808.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示面板及显示面板的制备方法是由潘子康设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及显示面板的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示面板及显示面板的制备方法，包括显示区以及显示区外围的非显示区；显示面板包括基板以及设于基板上的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管位于非显示区，第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层以及第二有源层；第一栅极设于基板上；第一栅极绝缘层设于基板上，且第一栅极绝缘层覆盖第一栅极；第一有源层设于第一栅极绝缘层远离基板的一表面，第一有源层包括结晶氧化物；第二有源层设于第一有源层远离基板的一表面，第二有源层包括非结晶氧化物；其中，第一有源层的迁移率大于第二有源层的迁移率。其优点在于，能够提升显示面板的非显示区的薄膜晶体管的驱动能力。
本发明授权显示面板及显示面板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区以及所述显示区外围的非显示区，所述显示面板包括基板以及设于所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述非显示区，所述第一薄膜晶体管包括： 第一栅极，所述第一栅极设于所述基板上； 第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述基板上，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极； 第一有源层，所述第一有源层设于所述第一栅极绝缘层远离所述基板的一表面，所述第一有源层包括结晶氧化物，其中，所述第一有源层通过形成于所述第一栅极绝缘层上的第一半导体薄膜进行第一次退火得到； 第二有源层，所述第二有源层包括非结晶氧化物，其中，所述第二有源层通过形成于经过第一次退火后的所述第一有源层上的第二半导体薄膜进行第二次退火得到； 其中，所述第一有源层的迁移率大于所述第二有源层的迁移率。
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