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龙图腾网获悉傲迪特半导体(南京)有限公司申请的专利一种半导体晶片清洗装置及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411955822.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种半导体晶片清洗装置及其方法是由茆宏;宁江斌;郁言威;高兴;陆嘉黎;李民;王耽耽设计研发完成，并于2024-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体晶片清洗装置及其方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体晶片清洗技术领域，具体为一种半导体晶片清洗装置及其方法，包括外壳、装夹机构、过滤机构和干燥机构，所述外壳的一端开设有安装仓，所述外壳的另一端开设有干燥仓，所述外壳的顶端开设有清洗仓，所述安装仓和清洗仓的内部皆均匀设置有清洗网框，所述清洗网框的内部皆设置有三组晶片主体，所述过滤机构用于对清洗液进行循环过滤，所述干燥机构用于对晶片主体进行干燥处理。本装置不仅方便用户对晶片主体进行固定，同时还能够进行清洗和干燥工作，从而能够提高在清洗后能够对清洗液自动进行更换和过滤工作，同时本装置的清洗液处于自动循环过滤，从而能够降低损耗，也方便用户对纳米滤网进行更换，提高用户的工作效率。

本发明授权一种半导体晶片清洗装置及其方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶片清洗装置，其特征在于，包括外壳（1）、装夹机构、过滤机构和干燥机构，所述外壳（1）的一端开设有安装仓（2），所述外壳（1）的另一端开设有干燥仓（4），所述外壳（1）的顶端开设有清洗仓（3），且清洗仓（3）位于安装仓（2）和干燥仓（4）之间，所述外壳（1）的顶端通过转轴连接有三组密封透明盖（5），所述外壳（1）的底端开设有放置仓（6），所述放置仓（6）的内部设置有发生器（7），所述清洗仓（3）的底端均匀设置有三组超声波发射器（8），且超声波发射器（8）的底端位于放置仓（6）的内部，所述安装仓（2）、清洗仓（3）和干燥仓（4）的内部皆对称开设有两组第一扣槽（10），所述安装仓（2）和清洗仓（3）的内部皆均匀设置有清洗网框（9），且清洗网框（9）的两端皆分别与第一扣槽（10）滑动连接，所述清洗网框（9）的内部皆设置有三组晶片主体（15），且晶片主体（15）皆通过装夹机构进行固定，所述过滤机构用于对清洗液进行循环过滤，所述干燥机构用于对晶片主体（15）进行干燥处理。

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