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龙图腾网获悉浙江电驱动创新中心有限公司申请的专利一种基于新型磁滞模型的变磁通记忆电机设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765818B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411932879.3，技术领域涉及：H02K15/038；该发明授权一种基于新型磁滞模型的变磁通记忆电机设计方法是由王维汉;吴作柱;鲍科兵;周鹏;殷立晋;王豪设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于新型磁滞模型的变磁通记忆电机设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于新型磁滞模型的变磁通记忆电机设计方法，包括：步骤S1，获取永磁体于永磁体磁滞模型中的第一磁化状态点；步骤S2，判断是否需要进行充磁或退磁：若是则转向步骤S3；若否则返回步骤S1；步骤S3，施加充磁电流或退磁电流更新磁场强度；步骤S4，确定当前时刻第一磁化状态点移动后的第二磁化状态点并第一次更新一阶磁化上升曲线或一阶磁化下降曲线；步骤S5，去除充磁电流或退磁电流；步骤S6，确定当前时刻第二磁化状态点移动后的第三磁化状态点并第二次更新一阶磁化上升曲线或一阶磁化下降曲线，保留第三磁化状态点以供计算电机参数。有益效果是本发明能够准确模拟铝镍钴材料的磁化特性，降低复杂度。

本发明授权一种基于新型磁滞模型的变磁通记忆电机设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于新型磁滞模型的变磁通记忆电机设计方法，其特征在于，应用于永磁体磁滞模型，所述永磁体磁滞模型由主充磁曲线和主退磁曲线连接形成闭合的外轮廓，所述主充磁曲线和所述主退磁曲线之间连接有多条一阶磁化上升曲线和多条一阶磁化下降曲线，所述变磁通记忆电机设计方法包括以下步骤： 步骤S1，控制一变磁通记忆电机运行，针对所述变磁通记忆电机内的任一永磁体，获取所述永磁体于所述永磁体磁滞模型中的第一磁化状态点； 步骤S2，判断所述永磁体是否需要进行充磁或退磁： 若是，则转向步骤S3； 若否，则返回所述步骤S1； 步骤S3，对所述永磁体施加充磁电流或退磁电流更新磁场强度使所述第一磁化状态点沿所述一阶磁化上升曲线或所述一阶磁化下降曲线移动； 步骤S4，确定当前时刻所述第一磁化状态点移动后的第二磁化状态点并第一次更新所述一阶磁化上升曲线或所述一阶磁化下降曲线； 步骤S5，去除所述充磁电流或所述退磁电流使所述第二磁化状态点沿第一次更新后的所述一阶磁化上升曲线或所述一阶磁化下降曲线移动； 步骤S6，确定当前时刻所述第二磁化状态点移动后的第三磁化状态点并第二次更新所述一阶磁化上升曲线或所述一阶磁化下降曲线，保留所述第三磁化状态点以供计算电机参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江电驱动创新中心有限公司，其通讯地址为：315000 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路308号二楼#201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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