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龙图腾网获悉杭州睿昇半导体科技有限公司申请的专利基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411915875.4，技术领域涉及：C30B33/10；该发明授权基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法是由丁鼎;陈敏坚;耿健;周长松设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，涉及半导体材料表面处理技术领域，包括在单晶硅基底表面涂覆光刻胶层，通过光刻工艺在所述光刻胶层形成预设图形的掩膜；采用第一蚀刻液对所述单晶硅基底进行初步蚀刻；向所述第一蚀刻液中加入异丙醇添加剂，调节所述异丙醇添加剂的浓度为5‑10wt%，继续蚀刻所述单晶硅基底；用去离子水清洗所述单晶硅基底表面，随后采用第二蚀刻液对所述单晶硅基底进行精细蚀刻；利用氮气吹干所述单晶硅基底表面，得到具有预设图形结构的单晶硅基底。本发明通过精确控制光刻和蚀刻工艺，实现了高精度、稳定性强的单晶硅基底预处理与图形结构形成过程。

本发明授权基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，其特征在于：包括： 在单晶硅基底表面涂覆光刻胶层，通过光刻工艺在所述光刻胶层形成预设图形的掩膜； 采用第一蚀刻液对所述单晶硅基底进行初步蚀刻； 向所述第一蚀刻液中加入异丙醇添加剂，调节所述异丙醇添加剂的浓度为5－10wt％，继续蚀刻所述单晶硅基底； 用去离子水清洗所述单晶硅基底表面，随后采用第二蚀刻液对所述单晶硅基底进行精细蚀刻； 利用氮气吹干所述单晶硅基底表面，得到具有预设图形结构的单晶硅基底； 所述初步蚀刻包括： 在蚀刻过程中，采用变频调速的PTFE涂层搅拌桨以120±2rpm的转速进行匀速搅拌，搅拌桨直径为槽径的13，距离槽底高度为槽深的14； 当检测到蚀刻深度达到8－10μm时，结束蚀刻，并以2cmmin的速度将样品提升出蚀刻液； 向所述第一蚀刻液中加入异丙醇添加剂包括： 将所述异丙醇添加剂以0.5±0.1mlmin的恒定滴加速率注入所述第一蚀刻液中，滴加位置位于搅拌桨下方2－3cm处；在滴加过程中，使用机械搅拌器以150rpm的转速进行匀速搅拌，每滴加50ml异丙醇后暂停2分钟，通过数字式密度计对混合液进行取样检测，记录密度值变化曲线，当所述异丙醇添加剂的质量分数达到7.5±2.5wt％时，停止滴加； 继续蚀刻所述单晶硅基底包括： 将单晶硅基底缓慢浸入通过所述异丙醇添加剂改性后的第一蚀刻液中，用搅拌器以120±5rpm的转速进行持续搅拌，同时通过红外测温仪实时监控蚀刻液温度，使得温度波动不超过±2℃，并通过干涉条纹变化计算蚀刻深度； 当观察到干涉条纹间距变化对应蚀刻深度增加4－5μm时，启动自动提拉装置，将所述单晶硅基底匀速提出蚀刻液； 采用改进的多参数耦合计算方法计算蚀刻深度： 首先，考虑温度对折射率的影响，建立温度修正的折射率计算公式： nT＝n0[1+αT-T0+βT-T02] 其中，nT为温度T下的折射率，n0为标准温度T0下的折射率，α和β分别为一阶和二阶温度系数； 引入蚀刻液浓度对干涉条纹的影响因子： 其中，Δφ为相位差，λ为激光波长，h为蚀刻深度，CIPA为异丙醇浓度，γ为浓度影响系数； 进一步考虑条纹强度与深度的非线性关系： Ix,y＝I0[1+VcosΔφ+θx,y] 其中，Ix,y为干涉图样中点x,y处的光强，I0为背景光强，V为条纹可见度，θx,y为初始相位分布； 引入深度计算的修正方程： 其中，Kc为综合校正系数： 其中，η1和η2为动态修正系数，ω为蚀刻过程的特征频率，τ为系统特征时间常数； 最终的实时蚀刻深度通过时域积分获得： 其中，Ht为t时刻的累积蚀刻深度，为实时蚀刻速率，λ为激光波长，h为蚀刻深度，nT为温度T下的折射率，I0为背景光强，V为条纹可见度，γ为浓度影响系数，Kc为综合校正系数，CIPA为异丙醇浓度，Ix,y为干涉图样中点x,y处的光强。

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