武汉天马微电子有限公司上海分公司;武汉天马微电子有限公司张蒙蒙获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉天马微电子有限公司上海分公司;武汉天马微电子有限公司申请的专利一种像素电路、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119446060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411887131.6,技术领域涉及:G09G3/3208;该发明授权一种像素电路、显示面板及显示装置是由张蒙蒙设计研发完成,并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种像素电路、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了:本申请涉及一种像素电路、显示面板及显示装置,像素电路包括:驱动晶体管、阈值补偿晶体管和屏蔽层;阈值补偿晶体管包括第一子阈值补偿晶体管和第二子阈值补偿晶体管;阈值补偿晶体管的有源层包括第一子沟道区、第二子沟道区和第一连接区;第一子沟道区和第二子沟道区通过第一连接区电连接;在垂直于有源层的方向上,第一子沟道区与第一子阈值补偿晶体管的栅极至少部分交叠,第二子沟道区与第二子阈值补偿晶体管的栅极至少部分交叠,第一连接区与所述屏蔽层的交叠面积A满足: 本申请可以保持驱动晶体管的栅极电位的稳定性,解决显示面板低频闪烁问题。
本发明授权一种像素电路、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了:1.一种像素电路,其特征在于,包括: 驱动晶体管; 阈值补偿晶体管;所述阈值补偿晶体管包括第一子阈值补偿晶体管和第二子阈值补偿晶体管;所述第一子阈值补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极电连接;所述第一子阈值补偿晶体管的第二极与所述第二子阈值补偿晶体管的第一极电连接;所述第二子阈值补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接;所述第一子阈值补偿晶体管的栅极以及所述第二子阈值补偿晶体管的栅极电连接;所述阈值补偿晶体管的有源层包括第一子沟道区、第二子沟道区和第一连接区;所述第一子沟道区和所述第二子沟道区通过所述第一连接区电连接; 屏蔽层; 其中,在垂直于所述有源层的方向上,所述第一子沟道区与所述第一子阈值补偿晶体管的栅极至少部分交叠,所述第二子沟道区与所述第二子阈值补偿晶体管的栅极至少部分交叠,所述第一连接区与所述屏蔽层的交叠面积A满足: 其中,Cox1为所述阈值补偿晶体管的MIS结构的单位面积电容;V01为阈值补偿晶体管关闭前,所述驱动晶体管的栅极电位;d1为所述屏蔽层与所述第一连接区之间的绝缘层厚度,ε1为所述屏蔽层与所述第一连接区之间的绝缘层相对介电常数;N1为像素电路驱动像素发光前,所述驱动晶体管的栅极电位;Vg1为阈值补偿晶体管关闭后,所述阈值补偿晶体管的栅极电位;a1为预设常数;W1为所述第一子阈值补偿晶体管的沟道宽度;L1为所述第一子阈值补偿晶体管的沟道长度;W2为所述第二子阈值补偿晶体管的沟道宽度;L2为所述第二子阈值补偿晶体管的沟道长度。
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