中国矿业大学沈晓鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国矿业大学申请的专利一种基于电磁超材料的超薄结构低频吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411776694.8，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种基于电磁超材料的超薄结构低频吸收器是由沈晓鹏;倪孟熠;王乐阳;张昀浩;李海鹏;杨玉婷;王伟华设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电磁超材料的超薄结构低频吸收器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电磁超材料的超薄结构低频吸收器，由若干单元结构周期阵列组成；所述单元结构从上至下包括金属谐振层、第一介质层、金属贴片层、第二介质层、金属接地层；所述金属谐振层和金属贴片层刻蚀在第一介质层两侧，所述金属接地层贴覆在第二介质层下侧，两部分叠加构成本发明。本发明所述吸收器在0.3GHz处实现90％以上吸收，厚度为入射波长的11072，且具有偏振不敏感性和广角入射稳定性。这种低频吸波特性来源于金属谐振层和金属贴片层之间的强电容效应，通过改变窄缝振幅和贴片大小可在更多频段实现吸收。本发明所述吸收器以超薄结构实现低频吸收，设计简单，加工方便，在军事隐身、长距离通信和雷达屏蔽等领域有着很高的实用价值。
本发明授权一种基于电磁超材料的超薄结构低频吸收器在权利要求书中公布了：1.一种基于电磁超材料的超薄结构低频吸收器，其特征在于：包括在空间周期正方排列的吸收器单元结构，所述吸收器单元结构从上到下依次为金属谐振层1、第一介质层2、金属贴片层3、第二介质层4、金属接地层5，且各层几何中心在竖直方向上重合；所述金属谐振层为刻有两条正交弯曲窄缝所构成的金属表面，所述窄缝用正弦函数描述，其中A为振幅，为初相位，ω＝2πp，p为单元结构周期；弯曲窄缝从单元结构中心延伸至单元结构四边中点，相邻单元结构之间的弯曲窄缝相互贯通，窄缝具有旋转对称性；所述金属贴片层为正圆形金属表面，且圆心与两条正交弯曲窄缝交点在竖直方向上重合；所述金属谐振层和金属贴片层分别刻蚀在第一介质层两侧；所述金属接地层贴覆在第二介质层一侧，两侧刻蚀结构的第一介质层和一侧贴覆金属表面的第二介质层共同构成一种基于电磁超材料的超薄结构低频吸收器。
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