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龙图腾网获悉北京芯悦达科技有限公司申请的专利一种射频MOS器件的建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119720905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411778398.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种射频MOS器件的建模方法是由陶焕磊;陶友;宋小芳设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频MOS器件的建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射频MOS器件的建模方法，涉及MOS器件建模技术领域，本发明，将电磁仿真与热场仿真相结合，建立动态寄生参数库，描述复杂工况下的寄生效应，以动态寄生参数库作为核心基础，显著提升模型的动态响应能力，并将动态寄生参数引入小信号等效电路模型，显式体现寄生参数的动态变化，引入分区建模方法，将栅极、源极、漏极的动态行为细化为独立贡献，能更精确地描述射频MOS器件的局部动态特性，增强建模精度，引入大信号激励和非线性多项式描述，捕捉高功率条件下的非线性行为，建立从线性到非线性的统一行为模型，利用Volterra级数法对高阶非线性进行精确描述，结合动态寄生参数，解决非线性分析中信号频率混叠和动态失真的关键问题。

本发明授权一种射频MOS器件的建模方法在权利要求书中公布了：1.一种射频MOS器件的建模方法，其特征在于：包括， 步骤S1，物理场仿真提取动态寄生参数， 在器件实际工作条件下，通过电磁-热场耦合仿真获取射频MOS器件的动态寄生参数及其随频率、温度、电压的关联特性； 步骤S2，物理特性参数与等效电路建模结合， 将步骤S1中提取的动态寄生参数融入射频MOS器件的等效电路模型，并基于分区建模细化动态行为； 步骤S3，非线性特性分析， 基于步骤S2建立的等效电路模型，结合步骤S1提取的动态寄生参数，分析射频MOS器件在高功率、强信号激励下的非线性特性，并采用Volterra级数法构建线性与非线性统一的行为模型，形成射频MOS器件模型； 步骤S1中，利用有限元方法FEM对射频MOS器件进行电磁特性仿真，提取高频条件下的寄生电感和寄生电容参数，并分析其随频率变化的动态特性； 引入热场仿真分析，结合器件的自热效应，评估功耗与温升对性能的动态影响； 将电磁仿真与热场仿真结果相结合，建立射频MOS器件的动态寄生参数库，包含寄生参数及其与频率、温度、电压的关联特性； 步骤S2中，基于动态寄生参数建立小信号等效电路模型，并在等效电路模型中加入关联特性，等效电路模型作为射频MOS器件建模的基础框架； 根据物理特性和电路行为即步骤S1中不同条件下的寄生参数，将栅极、源极、漏极的电流进行分区建模，分区建模细化基础框架中的动态行为； 在等效电路模型和分区建模的基础上，推导MOS器件的频率响应函数，用于预测宽频段内的性能； 步骤S3中，基于步骤S2中的等效电路模型，加入非线性特性，引入大信号激励条件； 提取互调失真IMD、谐波失真HD和功率压缩点P1dB非线性指标，基于动态参数和非线性指标，采用Volterra级数法构建非线性行为模型； 将非线性行为模型与步骤S2的线性等效电路模型结合，形成射频MOS器件模型。

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