华南师范大学刘胜德获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种基于双Fano共振的多功能表面增强拉曼散射芯片及其调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119845920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411780543.X，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种基于双Fano共振的多功能表面增强拉曼散射芯片及其调控方法是由刘胜德;许浩彬;苏栩凝;吕晓旭设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双Fano共振的多功能表面增强拉曼散射芯片及其调控方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于双Fano共振实现的多功能表面增强拉曼散射芯片。所述多功能表面增强拉曼散射芯片包含周期性金纳米孔阵列、金纳米圆盘阵列和光刻胶构成三层结构薄膜系统。所述多功能表面增强拉曼散射芯片可以形成独立的双Fano共振，用于同时增强拉曼激发光和拉曼斯托克斯光。本发明还提供了一种所述多功能表面增强拉曼散射芯片的调控方法。通过调控所述金纳米孔直径大小，可以使所述双Fano共振的第一Fano共振不受调谐参数和培养液折射率变化的影响，稳定地实现激发光增强，同时实现第二Fano共振的宽带增强调谐。所述多功能表面增强拉曼散射芯片具有低光热、宽带可调谐增强、对背景折射率不敏感的功能，非常适合对培养液中的活细胞进行拉曼信号的原位探测。
本发明授权一种基于双Fano共振的多功能表面增强拉曼散射芯片及其调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双Fano共振的多功能表面增强拉曼散射芯片，其特征在于,包含： 从底层到顶层依次包括二氧化硅衬底层、镶嵌在光刻胶中直径d为220-270nm，厚度为50nm的金纳米盘阵列、厚度为70nm的光刻胶纳米孔阵列以及厚度为50nm的金纳米孔阵列，所述金纳米盘阵列、光刻胶纳米孔阵列以及金纳米孔阵列周期均为315纳米，平面形状均为圆形，其中金纳米盘位于光刻胶纳米孔阵列中，与金纳米孔形成互补的几何结构，所述金纳米孔阵列的厚度与金纳米盘阵列的厚度相同，均小于光刻胶纳米孔的厚度，在商用激光器632.8nm的波长处形成第一Fano共振峰，同时还形成第二Fano共振峰。
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