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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411787034.X，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及封装结构是由刘小平;黄铭辉;徐丹设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及封装结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及封装结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构，包括：衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底包括第一区域和第二区域；第一互连层，第一互连层覆盖衬底的第二表面；第一贯通孔，第一贯通孔位于衬底的第一区域内，且第一贯通孔贯穿衬底；第一绝缘层，第一绝缘层位于第一贯通孔内，第一绝缘层覆盖第一贯通孔的侧壁和第一互连层；第一电容结构，第一电容结构包括依次层叠的第一下电极层、第一介质层和第一上电极层，第一下电极层覆盖第一绝缘层；第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘位于第一互连层背离衬底的一侧；其中，第一焊盘与第一下电极层电连接，第二焊盘与第一上电极层电连接。根据本公开实施例，半导体结构能够提高封装基板中高频电源噪声的抑制效果。

本发明授权半导体结构及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括第一区域和第二区域； 第一互连层，所述第一互连层覆盖所述衬底的所述第二表面； 第一贯通孔，所述第一贯通孔位于所述衬底的所述第一区域内，且所述第一贯通孔贯穿所述衬底； 第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一贯通孔内，所述第一绝缘层覆盖所述第一贯通孔的侧壁和所述第一互连层； 第一电容结构，所述第一电容结构包括依次层叠的第一下电极层、第一介质层和第一上电极层，所述第一下电极层覆盖所述第一绝缘层； 第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述第一互连层背离所述衬底的一侧； 第一接触插塞，至少部分所述第一接触插塞位于所述第一表面的上方，且与所述第一上电极层电连接； 第二互连层，所述第二互连层在所述第一接触插塞上方； 第二电容结构，位于所述衬底的所述第二区域内，所述第二电容结构包括依次层叠的第二下电极层、第二介质层和第二上电极层； 第三焊盘和第四焊盘，所述第三焊盘和所述第四焊盘位于所述第二互连层背离所述衬底的一侧； 其中，所述第一焊盘与所述第一下电极层电连接，所述第二焊盘与所述第一上电极层电连接；所述第一电容结构在所述衬底上的正投影面积大于所述第二电容结构在所述衬底上的正投影面积。

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