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湖南大学余小游获国家专利权

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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种低功耗上电复位电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119675641B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411741652.0,技术领域涉及:H03K17/22;该发明授权一种低功耗上电复位电路是由余小游;张昭翰;颜盾设计研发完成,并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低功耗上电复位电路在说明书摘要公布了:本申请涉及一种低功耗上电复位电路,通过利用施密特触发器的滞后特性,结合PMOS和NMOS晶体管的互补控制,实现了低功耗和高稳定性的上电复位及上电检测功能。不仅提供了必要的复位延时,还有助于降低电路在启动过程中的功耗。同时,为了进一步提高性能,提供了电压检测迟滞功能,以提供额外的保护机制,防止由于电源波动引起的电压过低情况。与现有技术相比,利用CMOS晶体管的低功耗特性,显著降低了上电复位电路的整体功耗,通过精确的电压检测和延时控制,确保了电路复位的稳定性,优化的电压检测模组提高了电路对电源变化的响应速度,电路设计简洁,易于与现有的集成电路工艺兼容。

本发明授权一种低功耗上电复位电路在权利要求书中公布了:1.一种低功耗上电复位电路,其特征在于,包括电压检测模组和量化延时模组,所述量化延时模组包括中间延时单元和两级施密特触发器,两级所述施密特触发器的两个输入端分别连接第一电源电压和第二电源电压,第一级所述施密特触发器的输出端连接所述中间延时单元的第一控制端,所述中间延时单元的输出端连接第二级所述施密特触发器的控制端,第二级所述施密特触发器的输出端用于提供稳定的复位信号; 所述电压检测模组包括电流镜、长宽比成比例的NMOS管对、分压电阻单元及启动负载电容,所述电流镜的输入端连接所述第一电源电压,所述电流镜的输出端连接所述NMOS管对的输入端,所述电流镜的控制端连接所述中间延时单元的第二控制端,所述NMOS管对的输出端通过所述分压电阻单元接地,所述分压电阻单元的控制端连接所述中间延时单元的第一控制端,所述启动负载电容的栅极分别连接所述电流镜的输出端和第一级所述施密特触发器的控制端,所述启动负载电容的源极连接所述第一电源电压,所述启动负载电容的漏极连接所述中间延时单元的输入端; 所述分压电阻单元用于提供所述电压检测模组的可变分压,所述量化延时模组用于根据所述电压检测模组的输出结果进行数字逻辑转换,所述中间延时单元用于通过电容充电产生微秒级的延时。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学,其通讯地址为:410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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