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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119439374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411715636.4，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法是由戚志鹏;宋秀敏;刘博;任建新;李莹;刘少鹏;毛雅亚;赵立龙;王凤;吴泳锋;孙婷婷设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法，涉及光电集成技术领域。本发明包括硅基片，所述硅基片的顶部沉积有氧化埋层，所述氧化埋层的上方安装有多层矩形波导，多层矩形波导的一端与氧化埋层保持齐平，另一端安装有硅矩形波导，所述多层矩形波导朝向氧化埋层中心的一端设置有反向拉锥部，硅矩形波导远离氧化埋层中心的一端设置有正向拉锥部。本发明基于片上光互连实现介质‑金属混合型谐振腔与片上硅及普通介质波导的混合集成，利用光学和等离子体模式间的强耦合激发出准连续谱束缚态，既能够实现高灵敏度的片上光传感，又极大地提升了品质因子，并且具有较低的传输损耗。

本发明授权一种基于混合谐振的通感一体光芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于混合谐振的通感一体光芯片，包括硅基片1，其特征在于，所述硅基片1的顶部沉积有氧化埋层2，所述氧化埋层2的上方安装有多层矩形波导3，多层矩形波导3的一端与氧化埋层2保持齐平，另一端安装有硅矩形波导5，所述多层矩形波导3朝向氧化埋层2中心的一端设置有反向拉锥部4，硅矩形波导5远离氧化埋层2中心的一端设置有正向拉锥部6，正向拉锥部6完全包覆在反向拉锥部4内形成定向耦合结构； 多层矩形波导3与硅矩形波导5整体构成一个耦合单元，耦合单元的数量至少为两个，且两个耦合单元以氧化埋层2中心线为对称轴，沿氧化埋层2长度方向对称布设； 两个所述耦合单元之间的中心部位安装有金谐振环7，金谐振环7内部形成混合型谐振腔，且金谐振环7靠近硅矩形波导5的位置沿直波导方向上开设有两个开口8，用于两侧的硅矩形波导5与混合型谐振腔进行近场耦合； 所述金谐振环7的内部设置有硅圆盘9，硅圆盘9的圆心与金谐振环7的圆心重合，且硅圆盘9与金谐振环7之间间接耦合； 所述多层矩形波导3与反向拉锥部4一体成型设置，多层矩形波导3由下往上依次形成有GaN层31、Si3N4层32以及SU-8光刻胶层33，其中，硅矩形波导5中的正向拉锥部6是完全包覆在GaN层31和Si3N4层32内，且GaN层31、Si3N4层32以及SU-8光刻胶层33在近红外波段下的折射率分别为2.4、2、1.53。

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