杭州镓仁半导体有限公司夏宁获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州镓仁半导体有限公司申请的专利一种抑制铸造法氧化镓单晶生长坩埚收缩的装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223386287U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422898468.9，技术领域涉及：C30B29/16；该实用新型一种抑制铸造法氧化镓单晶生长坩埚收缩的装置是由夏宁;吴丹;马可可设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制铸造法氧化镓单晶生长坩埚收缩的装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种抑制铸造法氧化镓单晶生长坩埚收缩的装置，涉及单晶生长设备技术领域，包括坩埚口防收缩环，其外侧壁为倒锥面，置于坩埚顶端抵接内壁；还有坩埚底防收缩机构，含中心垫块、固定块、活动块等，通过特定斜面、齿状结构及引脚槽等设计实现协同配合。该装置从坩埚顶部和底部有效抑制收缩，避免晶体因坩埚收缩而开裂，可显著提高晶体质量和成晶率，为氧化镓单晶在多领域应用提供更优质材料基础，具有重要实用价值。
本实用新型一种抑制铸造法氧化镓单晶生长坩埚收缩的装置在权利要求书中公布了：1.一种抑制铸造法氧化镓单晶生长坩埚收缩的装置，其特征在于，包括： 坩埚口防收缩环，所述坩埚口防收缩环的外侧壁为倒锥面，所述坩埚口防收缩环用于设置在所述坩埚的顶端，且所述坩埚的顶端的内壁与所述坩埚口防收缩环的外侧壁抵接； 坩埚底防收缩机构，所述坩埚底防收缩机构包括中心垫块、多个固定块和多个活动块，所述中心垫块呈正多边形柱状，所述中心垫块的侧壁、所述固定块、所述活动块及所述坩埚底端的引脚一一对应；所述固定块一侧紧贴所述中心垫块上对应的侧壁，所述固定块的顶面为斜面，且所述固定块的顶面由上至下逐渐远离所述中心垫块，所述活动块的底面为斜面，且所述活动块的底面由上至下逐渐远离所述中心垫块，所述活动块的底面与对应的所述固定块的顶面抵接；所述活动块上设置有用于放置对应的所述引脚的引脚槽，所述引脚槽的尺寸与所述引脚的尺寸相同。
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