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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利IGBT结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584611B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411701136.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权IGBT结构及半导体器件是由邹苹;吴晓婧;史世平;李幸师设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种IGBT结构及半导体器件，IGBT结构包括：基体；第一导电类型的漂移区；第二导电类型的集电区；第一虚拟栅；第二虚拟栅，第一虚拟栅和第二虚拟栅在第二方向上间隔设置；第二导电类型的第一阱区，第一阱区设于漂移区朝向第二主面的一侧，且位于第一虚拟栅和第二虚拟栅之间；绝缘层，设于第二主面；发射极金属，覆盖绝缘层；第一导电类型的第一浮置区和第二浮置区，分别设置于第二导电类型的第一阱区在第二方向上的两侧，第一浮置区朝向第一主面的一侧和第二浮置区朝向第一主面的一侧均与漂移区接触；第二导电类型的第一接触区，设于第一阱区朝向第二主面的一侧。根据本申请的IGBT结构及半导体器件，能够有效降低导通损耗及关断损耗。

本发明授权IGBT结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT结构，其特征在于，包括： 基体，所述基体具有第一主面及与第一主面相反侧的第二主面，所述第一主面和所述第二主面在第一方向上间隔设置； 第一导电类型的漂移区，所述漂移区设于所述第一主面和所述第二主面之间； 第二导电类型的集电区，所述集电区设于所述漂移区朝向所述第一主面的一侧，所述集电区远离所述漂移区的一侧构成所述第一主面的至少部分； 第一虚拟栅，所述第一虚拟栅自所述第二主面向所述第一主面延伸至所述漂移区中； 第二虚拟栅，所述第二虚拟栅自所述第二主面向所述第一主面延伸至所述漂移区中，所述第一虚拟栅和所述第二虚拟栅在第二方向上间隔设置，所述第二方向垂直于所述第一方向； 第二导电类型的第一阱区，所述第一阱区设于所述漂移区朝向所述第二主面的一侧，且位于所述第一虚拟栅和所述第二虚拟栅之间，所述第一阱区朝向所述第二主面的一侧构成部分所述第二主面； 绝缘层，设于所述第二主面； 发射极金属，覆盖所述绝缘层远离所述第二主面的一侧； 第一导电类型的第一浮置区； 第一导电类型的第二浮置区，所述第一浮置区和所述第二浮置区分别设置于所述第二导电类型的第一阱区在所述第二方向上的两侧，所述第一浮置区远离所述第二浮置区的一侧与所述第一虚拟栅接触，所述第二浮置区远离所述第二浮置区的一侧与所述第二虚拟栅接触，所述第一浮置区朝向所述第一主面的一侧和所述第二浮置区朝向所述第一主面的一侧均与所述漂移区接触； 第二导电类型的第一接触区，所述第一接触区设于所述第一阱区朝向所述第二主面的一侧，所述第一接触区朝向所述第二主面的一侧构成部分所述第二主面，所述绝缘层上对应所述第一接触区的位置设置有第一接触孔，所述发射极金属通过所述第一接触孔与所述第一接触区接触； 其中，所述第一浮置区的掺杂浓度和所述第二浮置区的掺杂浓度均大于所述漂移区的掺杂浓度。

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