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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利ETOX Nor闪存的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584543B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411688927.9，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权ETOX Nor闪存的制造方法是由王虎;焦佳晖;肖浩春;徐荣;衣云鸽;顾林设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本ETOX Nor闪存的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种ETOXNor闪存的制造方法。方法包括：提供形半导体衬底，所述半导体衬底包括闪存元胞区和外围电路区；在所述存储元胞区位置处的半导体衬底上形成由下至上依次层叠的遂穿氧化层、第一多晶硅层、多晶硅间介质层和第二多晶硅层；在所述存储元胞区中依次刻蚀第二多晶硅层、多晶硅间介质层和第二多晶硅层形成闪存单元，每个所述闪存单元中形成源区引出空间；在所述外围电路区中刻蚀第二多晶硅层形成逻辑器件多晶硅；根据所述多晶硅间介质层的厚度，向所述源区引出空间位置处的半导体衬底中注入剂量与所述多晶硅间介质层的厚度匹配的杂质离子，形成闪存单元源区。

本发明授权ETOX Nor闪存的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种ETOXNor闪存的制造方法，其特征在于，所述ETOXNor闪存的制造方法包括以下步骤： 提供形半导体衬底，所述半导体衬底包括存储元胞区和外围电路区； 在所述存储元胞区位置处的半导体衬底上形成由下至上依次层叠的遂穿氧化层、第一多晶硅层、多晶硅间介质层和第二多晶硅层； 在所述存储元胞区中依次刻蚀第二多晶硅层、多晶硅间介质层和第二多晶硅层形成闪存单元，每个所述闪存单元中形成源区引出空间； 在所述外围电路区中刻蚀第二多晶硅层形成逻辑器件多晶硅； 当多晶硅间介质层的厚度大于等于第一目标厚度时，以第一注入剂量向所述源区引出空间位置处的半导体衬底中注入杂质离子，形成闪存单元源区； 当多晶硅间介质层的厚度大于等于第二目标厚度且小于第一目标厚度时，以第二注入剂量向所述源区引出空间位置处的半导体衬底中注入杂质离子，形成闪存单元源区； 当多晶硅间介质层的厚度小于第二目标厚度时，以第三注入剂量向所述源区引出空间位置处的半导体衬底中注入杂质离子，形成闪存单元源区； 其中，所述第一目标厚度大于所述第二目标厚度，所述第一注入剂量小于所述第二注入剂量，所述第二注入剂量小于所述第三注入剂量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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