厦门敦特电子科技有限公司林传文获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门敦特电子科技有限公司申请的专利一种耐候性PPTC自恢复保险丝获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223390488U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422854092.1，技术领域涉及：H01H85/20；该实用新型一种耐候性PPTC自恢复保险丝是由林传文;兰盛良设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐候性PPTC自恢复保险丝在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种耐候性PPTC自恢复保险丝，包括封装框体和芯片主体；封装框体配置成规则的矩形状结构；芯片主体由正温度系数复合材料所组成；正温度系数复合材料至少包含聚偏氟乙烯、和导电粒子；芯片主体包含第一芯片层和第二芯片层；第一芯片层位于上层且在其右侧挖空形成用于避让出右电极的第一让位区，第二芯片层位于下层且在左侧挖空形成用于避让出左电极的第二让位区；封装框体在中部区域构造出镂空的贯穿空间，第一芯片层和第二芯片层以被压合的形式适配填埋在贯穿空间内；采用更为简易的封装框体设置，不仅便于生产和安装，还能有效增加整体的机械强度和稳定性，且矩形的封装框体有助于确保PPTC芯片的合理布局，方便电气连接和散热设计。
本实用新型一种耐候性PPTC自恢复保险丝在权利要求书中公布了：1.一种耐候性PPTC自恢复保险丝，其特征在于，包括： 封装框体，配置成规则的矩形状结构； 芯片主体，由正温度系数复合材料所组成；所述正温度系数复合材料至少包含聚偏氟乙烯、以及分布在里面的导电粒子； 其中，所述芯片主体包含相互层叠设置的第一芯片层和第二芯片层；所述第一芯片层位于上层且在其右侧挖空形成用于避让出右电极的第一让位区，所述第二芯片层位于下层且在左侧挖空形成用于避让出左电极的第二让位区； 并且，所述封装框体在中部区域构造出镂空的贯穿空间，所述第一芯片层和第二芯片层以被压合的形式适配填埋在贯穿空间内。
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