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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411672299.5，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法是由叶雪荣;高君鹏;孙祺森;陈岑;陈昊;冯超;郑伟设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法在说明书摘要公布了：一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法，属于电子元器件可靠性辨识技术领域。为了解决现有技术并没有针对碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用分析方法的问题。本发明首先开展加速退化试验，获取用于进行温度相互作用辨识的阈值电压退化数据，然后消除测量异常波动与测量误差，并对恒定温度加速退化试验中温度为Ti与Tj的各组样本数据和两阶段温度加速退化试验第二阶段各组样本数据分别进行拟合；然后对退化路径数据进行统计检验，根据统计检验结果判断退化是否受温度相互作用影响。本发明用于MOSFET阈值电压退化的温度相互作用的辨识。

本发明授权一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法，其特征在于，包括： 步骤1：针对碳化硅功率MOSFET开展加速退化试验，获取用于进行温度相互作用辨识的阈值电压退化数据；具体过程包括以下步骤： 步骤11：根据电路中MOSFET的实际驱动信号参数确定MOSFET的开通信号电压、关断信号电压、信号频率；确定加速退化试验温度范围； 步骤12：设置n组恒定温度加速退化试验；根据步骤11设置每组中MOSFET开通关断信号的电压、频率相同；试验中MOSFET漏极与源极短接，仅在栅极施加驱动信号；在加速退化试验温度范围中选取n个温度，分别记为T1至Tn； 步骤13：设计恒定温度加速退化试验时长和测试频率，并开展试验； 步骤14：在T1至Tn中选取两个温度Ti与Tj； 步骤15：设置2组两阶段温度加速退化试验；两阶段温度加速退化试验组1中先施加Ti，再施加Tj；两阶段温度加速退化试验组2中先施加Tj，再施加Ti；其他试验设置与S12相同； 步骤16：设计两阶段温度加速退化试验时长和测试频率，并开展两阶段温度加速退化试验； 步骤2：通过拟合与平滑方法对步骤1得到的阈值电压退化数据进行处理； 通过下式对恒定温度加速退化试验中温度为Ti与Tj的各组样本数据和两阶段温度加速退化试验第二阶段各组样本数据分别进行拟合： Vtht＝a1·expa2·t+a3·expa4·t1 其中，Vtht为阈值电压在t时刻的值，a1，a2，a3，a4为需要通过拟合确定的参数； 步骤3：对处理后的退化路径数据进行统计检验，根据统计检验结果判断退化是否受温度相互作用影响。

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