兰州空间技术物理研究所王骥获国家专利权
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龙图腾网获悉兰州空间技术物理研究所申请的专利一种基于硅晶片的弱离子信号放大用二次电子发射结构及倍增器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119717470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411668105.4，技术领域涉及：G04F5/14；该发明授权一种基于硅晶片的弱离子信号放大用二次电子发射结构及倍增器是由王骥;郭磊;侍椿科;陈江;刘志栋;马沛;汪东军;梁星;杜康;高玮设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硅晶片的弱离子信号放大用二次电子发射结构及倍增器在说明书摘要公布了：本发明属于磁选态铯原子钟技术领域，具体涉及一种基于硅晶片的弱离子信号放大用二次电子发射结构及倍增器。该二次电子发射结构包括矩形硅晶片、电极片和加速栅极，所述电极片固定在矩形硅晶片两端，所述加速栅极与所述电极片相连；两端带电极片的矩形硅晶片和加速栅极构成一个倍增级；其中：矩形硅晶片表面镀有复合二次电子发射薄膜，该复合二次电子发射薄膜在使用前激活。
本发明授权一种基于硅晶片的弱离子信号放大用二次电子发射结构及倍增器在权利要求书中公布了：1.一种基于硅晶片的弱离子信号放大用二次电子发射结构，其特征在于，包括矩形硅晶片、电极片和加速栅极，所述电极片固定在矩形硅晶片两端，所述加速栅极与所述电极片相连；两端带电极片的矩形硅晶片和加速栅极构成一个倍增级；其中：矩形硅晶片表面镀有复合二次电子发射薄膜，该复合二次电子发射薄膜在使用前激活； 所述矩形硅晶片在抛光面上镀有全金属复合二次电子发射薄膜，从硅晶面上依次为第一层Mg膜、第二层Ag膜或Au膜，第三层为Mg膜；所述复合二次电子发射薄膜的第一层Mg膜厚度为20～40nm，第二层Ag膜或Au膜厚度为20～30nm，第三层Mg膜为20～40nm。
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