拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司吴启笛获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种防止颗粒物沉积的载盘装置及其薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223386229U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422838216.7，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型一种防止颗粒物沉积的载盘装置及其薄膜沉积设备是由吴启笛;杨艳;胡祥明设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防止颗粒物沉积的载盘装置及其薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种防止颗粒物沉积的载盘装置及其薄膜沉积设备，载盘装置包括：加热盘，嵌设于所述加热盘上的若干顶针；其中，所述加热盘上设有若干通孔以及连通于所述通孔的进气通道，所述顶针穿设于所述通孔，当载盘装置进行清洗时，从所述进气通道输入气体以致在所述顶针的端部形成气帘。本实施例的防止颗粒物沉积的载盘装置，其通过在顶针的外侧设置进气通道，在对工艺腔室清洗，通入氮气等气体，在顶针的端部形成气帘，从而避免顶针端部附着涂层，以致与传入的晶圆接触时不会粘连到晶圆表面，也不会造成顶针的端部颗粒物的大量累积。采用该防止颗粒物沉积的载盘装置的薄膜沉积设备，可减少顶针对晶圆的影响，薄膜沉积质量更好。
本实用新型一种防止颗粒物沉积的载盘装置及其薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种防止颗粒物沉积的载盘装置，其特征在于，包括：加热盘，嵌设于所述加热盘上的若干顶针；其中，所述加热盘上设有若干通孔以及连通于所述通孔的进气通道，所述顶针穿设于所述通孔，当载盘装置进行清洗时，从所述进气通道输入气体以致在所述顶针的端部形成气帘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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