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龙图腾网获悉宁波爱芯微电子有限公司申请的专利一种PSRR优化电路及低压差线性稳压器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119512299B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411663423.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种PSRR优化电路及低压差线性稳压器芯片是由李富民;童柏涵;徐建设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PSRR优化电路及低压差线性稳压器芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PSRR优化电路，涉及集成电路技术领域，包括一种PSRR优化电路，其特征在于，包括：NMOS管NM1、M个串联的NMOS管，包括NMOS管NM2、NMOS管NM3、……、NMM、NMOS管NMM+1，PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5，N个串联的NMOS耗尽管，包括NMOS耗尽管NMOS1、NMOS耗尽管NMOS2、……、NMOS耗尽管NMOSN‑1、NMOS耗尽管NMOSN，电阻R1、电阻R2和电容C1；本发明还公开了一种低压差线性稳压器芯片，设置上述PSRR优化电路。本发明消除了版图寄生电容的影响，显著提高了PSRR。

本发明授权一种PSRR优化电路及低压差线性稳压器芯片在权利要求书中公布了：1.一种PSRR优化电路，其特征在于，包括：NMOS管NM1、M个串联的NMOS管，包括NMOS管NM2、NMOS管NM3、……、NMM、NMOS管NMM+1，PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5，N个串联的NMOS耗尽管，包括NMOS耗尽管NMOS1、NMOS耗尽管NMOS2、……、NMOS耗尽管NMOSN-1、NMOS耗尽管NMOSN，电阻R1、电阻R2和电容C1； 所述NMOS管NM1的栅极与漏极、所述电容C1的一端、所述PMOS管PM5的源极均接到电源电压VDD，所述NMOS管NM1的源极与所述PMOS管PM1、所述PMOS管PM2的源极连接在一起，所述PMOS管PM1、所述PMOS管PM2的栅极与所述PMOS管PM3的漏极、所述电容C1的另一端、所述NMOS耗尽管NMOS1的漏极连接在一起，所述PMOS管PM1的漏极与所述PMOS管PM3的源极连接，所述PMOS管PM3的栅极与所述PMOS管PM4的栅极连接在一起接Vb1，所述N个串联的NMOS耗尽管的栅极、所述NMOS耗尽管NMOSN的源极、所述NMOS管NMM+1的源极、所述电阻R2的一端连接在一起接GND，所述NMOS耗尽管NMOS1的源极与所述NMOS耗尽管NMOS2的漏极连接，所述NMOS耗尽管NMOS2的源极与所述NMOS耗尽管NMOS3的漏极连接，以此类推，所述NMOS耗尽管NMOSN-1的源极与所述NMOS耗尽管NMOSN的漏极连接，所述PMOS管PM2的漏极与所述PMOS管PM4的源极连接，所述PMOS管PM4的漏极与所述NMOS管NM2的漏极连接，所述NMOS管NM2、所述NMOS管NM3、……、所述NMOS管NMM+1的栅极与所述电阻R1的一端、所述电阻R2的另一端连接在一起，所述NMOS管NM2的源极与所述NMOS管NM3的漏极连接，所述NMOS管NM3的源极与所述NMOS管NM4的漏极连接，以此类推，所述NMOS管NMM的源极与所述NMOS管NMM+1的漏极连接，所述PMOS管PM5的栅极接Vb2，所述PMOS管PM5的漏极与所述电阻R1的另一端连接。

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