武汉华星光电技术有限公司刘娜获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411659570.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板和显示面板是由刘娜;艾飞;宋德伟设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板和显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板，该阵列基板通过使层间绝缘层包括第一绝缘层，位于透光区内的层间绝缘层和第一绝缘层中氮元素的含量小于氧元素的含量，至少可以减少层间绝缘层中位于透光区的氮化硅材料，从而提高透光区的透光率，且第一绝缘层靠近栅极层的部分的单位体积的氢原子的含量，小于第一绝缘层远离栅极层的部分的单位体积的氢原子的含量，可以在形成阵列基板时通过扩散对有源层进行补氢，使有源层的性能电性较好，从而兼顾阵列基板的透光率和性能稳定性。
本发明授权阵列基板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括像素区，所述像素区包括透光区和位于所述透光区的至少一侧的非透光区，所述阵列基板包括： 衬底； 有源层，设置于所述衬底一侧； 栅极层，设置于所述有源层远离所述衬底的一侧； 层间绝缘层，设置于所述栅极层远离所述有源层的一侧，所述层间绝缘层包括第一绝缘层，位于所述透光区内的所述层间绝缘层和所述第一绝缘层中氮元素的含量小于氧元素的含量； 其中，所述第一绝缘层靠近所述栅极层的部分的单位体积的氢元素的含量，小于所述第一绝缘层远离所述栅极层的部分的单位体积的氢元素的含量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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