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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411640973.1，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法是由刘志宏;董明辉;董高峰;周瑾;杜航海;邢伟川;陈兴;王东;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，本发明公开了一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法。该反相器的最下面为硅衬底层，N沟道晶体管沟道层和N沟道晶体管势垒层之间形成二维电子气，作为N沟道晶体管的导电沟道；P沟道晶体管栅电极控制P沟道晶体管N型锗阱的上表面反型导电沟道的形成。N沟道晶体管栅电极和P沟道晶体管栅电极相连构成互补反相器的输入端；N沟道晶体管漏电极和P沟道晶体管的源电极相连，构成互补反相器的输出端。该反向器采用硅基氮化镓与锗半导体单片异质集成，两种材料分别具有高电子和高空穴迁移率，提高了现有互补反相器的工作速度，工艺兼容性高，可应用于高速大规模数字电路和氮化镓射频、电力电子器件平台。

本发明授权一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器，其特征在于，最下面为硅衬底层（1），N沟道晶体管一侧包括成N沟道晶体管成核层（2）、N沟道晶体管缓冲层（3）、N沟道晶体管沟道层（4）、N沟道晶体管势垒层（5）、N沟道晶体管栅电极（6）、N沟道晶体管源电极（7）、N沟道晶体管漏电极（8）；N沟道晶体管成核层（2）、N沟道晶体管缓冲层（3）、N沟道晶体管沟道层（4）、N沟道晶体管势垒层（5）为三族氮化物材料，N沟道晶体管沟道层（4）和N沟道晶体管势垒层（5）之间形成二维电子气，作为N沟道晶体管的导电沟道，并受到N沟道晶体管栅电极（6）的控制；P沟道晶体管一侧包括P沟道晶体管N型锗阱（9）、P沟道晶体管P型锗阱（10）、P沟道晶体管漏电极（11）、P沟道晶体管源电极（12）、P沟道晶体管氧化物介质层（13）、P沟道晶体管栅电极（14）； 所述N沟道晶体管源电极（7）和N沟道晶体管漏电极（8）均与N沟道晶体管势垒层（5）形成欧姆接触； 所述P沟道晶体管源电极（12）和P沟道晶体管漏电极（11）均与P沟道晶体管P型锗阱（10）形成欧姆接触；P沟道晶体管栅电极（14）控制P沟道晶体管N型锗阱（9）的上表面反型导电沟道的形成； N沟道晶体管栅电极（6）和P沟道晶体管栅电极（14）相连，构成互补反相器的输入端；N沟道晶体管漏电极（8）和P沟道晶体管的源电极（12）相连，构成互补反相器的输出端；P沟道晶体管漏电极（11）接偏压VDD；N沟道晶体管源电极（7）接地。

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