武汉楚兴技术有限公司胡振获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉楚兴技术有限公司申请的专利一种等离子刻蚀装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223390493U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422815597.7，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种等离子刻蚀装置是由胡振;蔡源设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子刻蚀装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种等离子刻蚀装置，涉及半导体工艺制造技术领域，旨在提高等离子体在等离子刻蚀腔体内分布的均匀性。等离子刻蚀腔体包括承载台和压力调节结构。承载台用于承载晶圆。分子泵的进气口与承载台中心轴线之间具有间隔。压力调节结构，包括沿第一方向依次设置的至少两个悬浮环，且至少两个悬浮环在第一方向上正对设置，悬浮环设置在承载台的上方，悬浮环包括第一部分和第二部分。相邻两个悬浮环的第一部分之间的间距小于相邻两个悬浮环的第二部分之间的间距。其中，第一方向为垂直于晶圆表面的方向。
本实用新型一种等离子刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子刻蚀装置，其特征在于，包括： 承载台，用于承载晶圆； 压力调节结构，包括沿第一方向依次设置的至少两个悬浮环，且所述至少两个悬浮环在所述第一方向上正对设置，所述悬浮环设置在所述承载台的上方，所述悬浮环包括第一部分和第二部分；相邻两个所述悬浮环的第一部分之间的间距小于相邻两个所述悬浮环的第二部分之间的间距； 其中，所述第一方向为垂直于所述晶圆表面的方向。
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