北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司颜铭铭获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利一种原子层沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223386226U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422796920.0，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种原子层沉积设备是由颜铭铭;翟冬梅;邢长昕;李亚伟;贾永鑫设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原子层沉积设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种原子层沉积设备，包括：反应腔室；所述基座，所述基座设置在所述反应腔室底部；上电极，所述上电极设置在所述反应腔室的顶部；电压源，所述电压源的正极与所述上电极电连接，所述电压源的负极与基座电连接，所述基座为下电极，在所述电压源施加电压时，所述上电极和所述基座之间产生电场。采用本申请提供的原子层沉积设备实施ALD或者PEALD进行薄膜沉积，能够提高薄膜生长速率，并能够控制生长超薄原子量级的薄膜厚度的连续薄膜；能够提高纵横比模式的台阶覆盖范围；能够降低薄膜生长温度，降低薄膜的杂质含量，提高薄膜的致密性和电化学性能。
本实用新型一种原子层沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括： 反应腔室； 基座，所述基座设置在所述反应腔室底部； 上电极，所述上电极设置在所述反应腔室的顶部； 电压源，所述电压源的正极与所述上电极电连接，所述电压源的负极与基座电连接，所述基座为下电极，在所述电压源施加电压时，所述上电极和所述基座之间产生电场。
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