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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利利用MoS₂增强MoS₂/GaAs系统中相干声学声子信号的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119510313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411579424.8，技术领域涉及：G01N21/17；该发明授权利用MoS₂增强MoS₂/GaAs系统中相干声学声子信号的方法及装置是由何枫;王文俊;王帅设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用MoS₂增强MoS₂/GaAs系统中相干声学声子信号的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用MoS2增强MoS2GaAs系统中相干声学声子信号的方法及装置，包括：将MoS2作为换能器放大GaAs材料中相干声学声子，并通过调节MoS2厚度控制MoS2GaAs系统相干声学声子信号放大幅度，其中，MoS2厚度为40nm‑130nm。本发明通过传输矩阵的方法来提前预测和选择最佳厚度来实现放大倍数的最大，便于提取数据，更有利于无损的对芯片等半导体材料的缺陷等精密信息的提取。

本发明授权利用MoS₂增强MoS₂/GaAs系统中相干声学声子信号的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种利用MoS2增强MoS2GaAs系统中相干声学声子信号的方法，其特征在于，包括：将MoS2作为换能器放大GaAs材料中相干声学声子，并通过调节MoS2厚度控制MoS2GaAs系统相干声学声子信号放大幅度，其中，MoS2厚度为40nm-130nm； 所述通过调节MoS2厚度控制MoS2GaAs系统相干声学声子放大的倍数，具体通过传输矩阵方法提前预测和选择最佳厚度用于实现放大倍数最大； 所述传输矩阵方法具体包括： MoS2GaAs系统反射率R表达式为：其中，分别是空气与MoS2膜、MoS2膜与GaAs界面的反射系数复振幅，各材料的复折射率为 表示空气中的复折射率，表示第一层材料即MoS2的复折射率，表示第二层材料即GaAs的复折射率，ni表示复折射率的实部，κi表示复折射率的虚部，δi表示复相移； 基于泵浦脉冲激发后，复折射率的实部n和虚部κ发生改变，进而导致反射率R变化，以及通过对比不同厚度MoS2中ΔRR0随Δn0以及Δκκ0的变化，获知MoS2厚度的改变影响差分反射率ΔRR0的数值大小，利用ΔRR0Δn0斜率表征相干声学声子振荡大小，n0,κ0和R0是平衡条件下n、κ和R的参数，ΔR、Δn、Δκ表示n、κ和R的变化量； 获取MoS2GaAs系统中ΔRR0Δn0斜率随MoS2厚度变化的关系，从而获取相干声学声子信号达到峰值时MoS2厚度。

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