JSR株式会社秋池利之获国家专利权
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龙图腾网获悉JSR株式会社申请的专利感放射线性组合物、显示装置用绝缘膜及其形成方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111913356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010356445.9，技术领域涉及：G03F7/075；该发明授权感放射线性组合物、显示装置用绝缘膜及其形成方法、显示装置是由秋池利之;奥村佳久;田崎太一;尹昶植设计研发完成，并于2020-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本感放射线性组合物、显示装置用绝缘膜及其形成方法、显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种感放射线性组合物、使用所述感放射线性组合物而获得的显示装置用绝缘膜及显示装置、使用所述感放射线性组合物的显示装置用绝缘膜的形成方法、以及作为所述感放射线性组合物的成分而优选的倍半硅氧烷，所述感放射线性组合物具有充分的光刻性能，且即便通过比较低温、例如120℃以下的加热也可获得具有充分的耐蚀刻药液性及耐氧灰化性的硬化膜。本发明的感放射线性组合物为包含具有下述式1所表示的第一结构单元的倍半硅氧烷、感放射线性自由基聚合引发剂、及有机溶媒的感放射线性组合物。式1中，X为具有不饱和双键的一价有机基。[化1]
本发明授权感放射线性组合物、显示装置用绝缘膜及其形成方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种感放射线性组合物，包含： 倍半硅氧烷，具有下述式1所表示的第一结构单元及下述式2所表示的第二结构单元； 感放射线性自由基聚合引发剂；以及 有机溶媒， 式1中，X是由下述式3所表示， 式2中，Y是由下述式4a或式4b所表示， 式3、式4a及式4b中，R1分别独立地为氢原子或甲基；R2分别独立地为碳数2～10的烷二基；R3为二价有机基；R4为单键或二价有机基；Z分别独立地为硫原子；*表示键结部位。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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